一、非晶态硅的TED和TEM的研究（论文文献综述）
林鸿溢[1]（1984）在《非晶态硅的TED和TEM的研究》文中认为 一、引言近年来,非晶态物质的制备和物性研究已受到广泛的重视,大量的研究结果表明,非晶态物质具有许多优异的特性。已经在非晶态半导体、非晶态磁性材料、非晶态超导体、非晶态金属合金等材料中取得了令人注目的进展。在前一工作的基础上,我们利用高分辨率透射电子显微镜（TEM）对非晶态硅（a—Si:H,a—Si:Cl）薄膜样品进行研究,观测到薄膜样品中的原子团（atom cluster）和微结构,并探讨了其生长机理。二、实验我们采用射频辉光放电（RFGD）方法,使SiH4（或SiCl4）气体在射频场作用下离解,产生等离子体,通过
林鸿溢[2]（1983）在《非晶态硅的TED和TEM的研究》文中进行了进一步梳理 一、引言近年来,非晶态物质的制备和物性研究已受到广泛的重视,大量的研究结果表明,非晶态物质具有许多优异的特性。已经在非晶态半导体、非晶态磁性材料、非晶态超导体、非晶态金属合金等材料中取得了令人注目的进展。在前一工作的基础上,我们利用高分辨率透射电子显微镜（TEM）对非晶态硅（a—Si:H,a—Si:Cl）薄膜样品进行研究,观测到薄膜样品中的原子团（atom cluster）和微结构,并探讨了其生长机理。二、实验我们采用射频辉光放电（RFGD）方法,使SiH4（或SiCl4）气体在射频场作用下离解,产生等离子体,通过
董会宁,颜其礼,陈卫东,潘飞躁,李鹏[3]（1995）在《多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制》文中研究指明以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。
二、非晶态硅的TED和TEM的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、非晶态硅的TED和TEM的研究（论文提纲范文）
四、非晶态硅的TED和TEM的研究（论文参考文献）
- [1]非晶态硅的TED和TEM的研究[J]. 林鸿溢. 电子显微学报, 1984(04)
- [2]非晶态硅的TED和TEM的研究[A]. 林鸿溢. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）, 1983
- [3]多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制[J]. 董会宁,颜其礼,陈卫东,潘飞躁,李鹏. 四川师范大学学报(自然科学版), 1995(06)