一、HCM202薄膜计算机（论文文献综述）
M.M.Dalton[1]（1967）在《HCM202薄膜计算机》文中进行了进一步梳理本文旨在叙述目前先进宇宙航空计算机采用的功能设计和制造技术。尤其着重叙述了先进宇宙航空计算机的模块化结构设计和薄膜的简化处理以及独特的互连系统。予计,HGM 202计算机设计方法的优点将会在宇宙航空系统中的广泛实际应用当中得到证明。
樊堃[2]（2016）在《宽禁带CuCr1-xMgxO2材料的制备及光、电性能和LIV效应研究》文中进行了进一步梳理铜铁矿结构CuCrO2是一种宽禁带（3.2 eV）层状氧化物,由密排Cu层和CrO6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,具有本征P型导电和较大的电输运各向异性。Mg2+掺杂能显着提高CuCrO2的电导率,使其在P型透明导电材料领域应用潜力巨大,但掺杂机制仍不够明确,且掺杂对其各向异性的影响尚无研究。本论文系统研究了 CuCr1-xMgxO2（x=0～0.08）多晶的制备和Mg的掺杂效应,探索并以较佳工艺在平直和倾斜α-Al203（0001）衬底上生长了CuCr1-xMgxO2（x=0,0.02）薄膜,表征了c轴生长的薄膜与衬底的界面间取向关系,测量了倾斜薄膜基于热电各向异性的LIV信号,并结合Mg掺杂对薄膜电阻率各向异性ρc/ρab的影响关联讨论了LIV效应。采用固相反应法经1100℃二次烧结12h的较佳工艺下制备系列CuCr1-xMgxO2（x=0～0.08）多晶,当x≤0.03时,Mg主要是固溶在CuCrO2晶格中CrO6八面体层的Cr位,随着x增加,载流子浓度升高,迁移率下降,电导率提高,且在x=0.03时得到最大的室温电导率为12.24 S cm-1,相比CuCrO2电导率提高了3～4个数量级;当x>0.03时,开始出现较明显的尖晶石相Mg（Cu）Cr2O4,载流子浓度略有提高,迁移率下降。ρ-T曲线拟合表明多晶在200-300 K内很好地符合热激活模式,x=0.03时得到最小热激活能Ea=0.031 eV。综上结果Mg的饱和固溶度约为x=0.03。综合讨论Mg掺杂能大幅提高CuCrO2电导率的机制,主要是在其固溶范围内最大程度进行受主掺杂,而提高了低局域性的有效空穴载流子浓度。通过PLD方法以较佳工艺:生长温度730℃/流动氧压1 Pa/淀积时间12 min/激光能量300 mJ/频率4 Hz,退火温度730℃/静态氧压2000 Pa/退火时间20 min在α-Al203（0001）平直和倾斜衬底上制备了CuCr1-xMgxO2（x=0,0.02）薄膜。所有薄膜均为c轴生长,且薄膜外延性随着倾斜角度增大而变差;通过φ扫描表征了薄膜与衬底的(0001面内取向关系为:<1100>CuCrO2//<1120>α-Al2O3。薄膜透射光谱测量表明其可见光范围透光率达到70-80%,Mg掺杂引入的杂质能级展宽与价带简并使光学带隙变窄,透光性下降。测量并推算了 10°倾斜CuCrO2和CuCr0.98Mg0.02O2薄膜的电阻率各向异性ρc/ρab,分别为10.75和22.13。Mg掺杂使ρab变小导致电阻率各向异性ρc/ρab变大。分别在5°和10°倾斜的CuCr0.98Mg0.02O2/Al2O3（0001）薄膜中测到最高为Up=63 mV和Up=160 mV且随激光能量密度升高而线性增大的LIV信号,体现了其温差热电的本质。而在10°倾斜CuCrO2/Al2O3（0001）薄膜中仅获得约40 mV的高频振荡响应,这是由于未掺杂薄膜的电阻很大,影响其基于本征热电各向异性的LIV信号的表达和测量;Mg掺杂使薄膜具有更大ρc/ρab,在绝缘体中近似的有Aρ/ρ～AS/S,即高的ρc/ρab关联高AS,LIV峰值Up正比于AS。因此,在CuCr0.98Mg0.02O2薄膜中出现较大的峰值电压UP。
刘丹丹[3]（2017）在《CuCr1-xMgxO2多晶、薄膜的制备及其热电输运性能研究》文中提出铜铁矿结构CuCrO2是一种宽禁带（3.2 eV）层状氧化物,由密排Cu层和CrO6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,具有本征P型导电和较大的电输运各向异性。Mg2+掺杂能显着提高CuCrO2的电导率,显示出在P型导电材料领域的巨大潜力。但其掺杂机制,特别是掺杂后对输运各向异性的影响需进一步研究。本论文系统研究了CuCr1-xMgxO2（x=0～0.08）多晶的制备和Mg的掺杂效应,并以较佳工艺在平直和倾斜α-Al203（0001）衬底上生长了CuCr1-xMgxO2（x=0～0.08）薄膜。表征了c轴生长的薄膜与衬底的界面间取向关系,测量了倾斜薄膜基于热电各向异性的激光感生电压（LIV）信号,并结合Mg掺杂对薄膜电阻率各向异性ρc/ρab的影响,讨论了LIV效应。.采用固相反应法经11 00℃/1 2h二次烧结制备系列CuCri-xMgx02（x=0～0.08）多晶。当x≤0.03时,Mg主要是固溶在CuCr02晶格中Cr06八面体层的Cr位,随着x增加,载流子浓度升高,电导率提高,且在x=0.03时得到最大的室温电导率为12.24S cm-1,相比CuCrO2电导率提高了 3～4个数量级。当x>0.03时,开始出现较明显的尖晶石相MgCr2O4。ρ-T曲线拟合表明多晶在200-300 K内很好地符合热激活模式,随Mg掺杂量增加,热激活能下降,在x=0.03时得到最小热激活能Ea=0.031eV。Seebeck-T曲线表明当x≤0.03时,随Mg掺杂量增加,Seebeck系数在整个测量温度范围（300K-1000K）内减小;x≥0.03时,随Mg掺杂量的增加各样品的Seebeck系数变化不大,故Mg的饱和固溶度约为x=0.03。电导率和热电势随掺杂的变化是由于掺Mg后Cr3+转变为Cr4+提供更多的空穴载流了.导致的。通过脉冲激光沉积（PLD）方法以工艺,生长:730℃/O2:1Pa/300mJ/4Hz,退火:730℃/2000 Pa/20 min在α-Al2O3（0001）平直和倾斜衬底上制备了CuCri-xMgxO2（x=0～0.08）薄膜。所有薄膜为c轴取向生长,且薄膜外延生长随着倾斜角度增大而变差;在相同名义倾斜角度的衬底上生长的薄膜随Mg掺杂量增大,薄膜沿衬底c轴的外延生长越好,这可能与掺Mg降低材料的表观活化能Q、促进晶粒生长有关。CuCr1-xMgx02（0≤x≤0.08）系列薄膜呈现出半导体输运行为,电阻率随掺杂量x的增加而降低,x=0.08时最低,室温下为0.19Ωcm,薄膜中Mg固溶度增加。在激光能量密度为80 mJ/cm2的照射下,生长在α-Al2O3（0001）15°衬底上CuCr1-xMgxO2（0≤x≤0.08）薄膜中获得的LIV信号,随着Mg掺杂。量的增加LIV信号峰值随之升高,x=0.08时得到的最大电压信号峰值Up约为45mV;c轴倾斜α-Al2O3（0001）衬底上生长的CuCr0.92Mg0.08O2薄膜,在能量密度为80 mJ/cm2激光照射下,5°、10°、15°衬底上的薄膜获得LIV信号的峰值电压和sin（20）呈非常好的线性关系,10°衬底上的薄膜获得的LIV信号,随着激光能量密度的增加,LIV信号峰值升高。Mg掺杂使薄膜具有更大ρc/ρab,在绝缘体中近似的有Aρ/ρ～△S/S（高的ρc/ρab关联高△S）,LIV信号峰值正比于△S,因此CuCr0.92Mg0.08O2薄膜有较大的峰值电压Up。
田超[4]（2019）在《一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究》文中提出二氧化锰阴极模压片式钽电容器具有体积小、重量轻、电压高、容量大、漏电流小、等效串联电阻低、温度和频率特性好、可靠性高和寿命长等优点,被广泛应用于各类电子整机线路中,起着储能、滤波、旁路、耦合等作用。近年来,随着电子整机系统不断向微型化、集成化、大功率化和高频化等方向快速发展,对片式钽电容器的耐压性能提出了更高的要求。本文在研究片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压关系的基础上,提出了一种提高片式钽电容器耐压能力的阳极氧化方法。本文以片式钽电容器为实验样品进行研究,研究的主要内容和结论包括:1、从原理上讲,片式钽电容器的耐压能力与其介质氧化膜形成电压符合正比关系,即介质氧化膜形成电压越高,片式钽电容器耐压能力越强。但存在部分形成电压高的片式钽电容器耐压能力反而低于形成电压低的片式钽电容器,分析得到造成该现象的原因是:片式钽电容器的介质氧化膜形成后,在后续生产制造和使用过程中由于受到温度应力、机械应力和电气应力等冲击,介质氧化膜劣化,导致其耐压能力下降。2、基于片式钽电容器介质氧化膜受应力劣化的原理,提出了一种提高片式钽电容器耐压能力的介质氧化膜形成方法,即在传统的阳极氧化前增加一次在低温、高形成电压和高形成电流密度条件下的快速形成,快速形成生成的五氧化二钽氧化膜仅仅附在阳极钽块的外表面,起到保护后续形成的氧化膜免受热量的、机械的和电气的冲击损伤,降低其耐压性能劣化,从而达到提高片式钽电容器耐压能力的目的。根据实验结果,采用快速形成方法的片式钽电容器击穿电压明显高于未采用快速形成的片式钽电容器采用快速形成方法的片式钽电容器无论在何种测试电压下的浪涌电流失效率均低于未采用快速形成的片式钽电容器,尤其是在高倍率测试电压下的浪涌电流失效率差异尤为明显。3、研究了快速形成方法的工艺参数选择,根据理论并结合实验结果,快速形成液选择碱金属的强碱性溶液,形成温度最高不能超过15℃,否则电容器电容量将大幅衰减;升压电流密度选择3A/mg;恒压时间90s;快速形成电压不能低于片式钽电容器额定电压的4倍,但最好不超过额定电压的6倍。4、由于钽粉本身存在极限形成电压,因此快速形成的方法仅适用于额定电压为25V及以下的片式钽电容器。通过以上研究,本文提出了一种提高片式钽电容器耐压性能的形成方法,并得出了该方法的最优工艺参数,为高可靠性和低形成倍率的片式钽电容器制造提供了一种阳极氧化方法,在提升企业技术水平和市场竞争力等方面,具有直接的实际意义。
王亚南[5]（2019）在《氧化物异质结的功能设计和激发态载流子动力学研究》文中进行了进一步梳理随着理论计算模拟手段的日趋成熟和计算机技术的飞速发展,第一性原理计算方法由于其成本低、效率高、结果准确等优势,在物理、化学和材料等各个学科中都具有非常广泛的应用。本论文主要利用第一性原理计算、自适应基因算法和非绝热分子动力学等理论方法,研究了LaA103/SrTiO3（LAO/STO）异质结中湿电子态性质,锐钛矿/金红石Ti02两相异质结中载流子动力学过程,和K原子促进O2分子在Au（111）表面化学吸附的物理机制。在第一章中,首先,我们简要介绍了多体体系的电子结构理论计算方法,重点是基于电子密度的密度泛函理论。然后,我们从波恩-奥本海默近似的绝热分子动力学出发,考虑绝热近似不再成立的情况下,引入了非绝热分子动力学方法,重点介绍了基于密度泛函理论和面跳跃的方法,并给出了利用Hefei-NAMD程序计算多体体系激发态动力学的具体流程。最后,我们对全局结构优化算法进行了简单介绍,重点是结合密度泛函理论和基因算法的自适应基因算法,说明了利用自适应基因算法搜索结构的计算流程。在第二章中,我们提出了通过极性-非极性氧化物异质结来调控表面湿电子态性质的理论设计方案。氧化物表面的湿电子态由于其弥散的特征为电子传输提供了很好的传输通道,当电子被激发到湿电子态上之后,常常有质子-电子耦合的电荷转移过程发生,因此在物理、化学、生物等领域有很多重要的应用。然而,在氧化物表面,湿电子态由于其能量太高,寿命太短而难以被充分利用。我们以H20吸附在LAO/STO异质结表面的湿电子态为研究对象,通过质结中的内建电场成功的将湿电子态稳定在费米面附近,从而有利于湿电子态在光催化反应和电荷传输中的应用。另外,我们还利用非绝热分子动力学方法,模拟了 P型LAO/STO异质结中LAO的层数为3层以内时,实验上一直难于观测到的电子激发到湿电子态后的电荷转移动力学过程。在第三章中,我们以锐钛矿/金红石Ti02两相异质结为研究对象,利用自适应基因算法搜索到了稳定的界面结构,并利用非绝热分子动力学方法研究了稳定结构界面处的电子空穴分离和电子空穴复合等动力学过程。另外,考虑氧空位存在的情况下,研究了杂质态的引入对Ti02异质结中电子-空穴复合过程的影响。最后,基于计算结果,我们总结了二氧化钛异质结中电荷转移和电子空穴复合动力学过程的一般规律,在一定程度上解释了实验上一直以来的争议。我们的研究能够从理论上更深入地理解锐钛矿/金红石异质结能够提高光催化效率的微观机理,有助于太阳能转化功能材料的设计。在第四章中,我们同匹兹堡大学的实验组合作,结合扫描隧道显微镜（STM）实验,利用第一性原理计算方法研究了K原子促进O2分子在Au（111）表面化学吸附的微观物理机制。我们发现,K原子吸附在金表面后可以形成的二维K+离子晶格大大降低了金表面的功函数,从而显着地促进表面O2的化学吸附。同时,我们还确定了在不同K覆盖度情况下表面K-O2聚合物的结构。另外,通过O-O的伸缩振动能量和相关的振动频率,证明了表面上的K2O2团簇具有介于过氧化物和超氧化物之间的中间性质。论文的最后进行了工作的总结以及对未来工作的展望。
二、HCM202薄膜计算机（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、HCM202薄膜计算机（论文提纲范文）
（2）宽禁带CuCr1-xMgxO2材料的制备及光、电性能和LIV效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 CuCrO_2材料体系综述 |
| 1.1 铜铁矿结构材料的研究背景和进展 |
| 1.2 晶体结构与电子结构 |
| 1.3 透光性和带隙 |
| 1.4 电和热输运性能及电阻率各向异性 |
| 1.5 激光感生电压(LIV)效应介绍 |
| 1.6 应用前景 |
| 1.7 研究意义和内容 |
| 1.7.1 研究目的及意义 |
| 1.7.2 研究的主要内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 多晶靶材制备 |
| 2.2 薄膜制备 |
| 2.2.1 PLD系统与工作原理 |
| 2.2.2 PLD技术特点与工艺变量 |
| 2.3 材料的表征 |
| 2.3.1 多晶XRD表征 |
| 2.3.2 薄膜XRD表征 |
| 2.3.3 SEM表征 |
| 2.3.4 AFM表征 |
| 2.4 材料的性能测试 |
| 2.4.1 电阻率-温度曲线 |
| 2.4.2 Hall效应测试 |
| 2.4.3 透射光谱测试 |
| 2.4.4 激光感生电压信号测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶靶材制备及性能研究 |
| 3.1 CuCrO_2多晶制备工艺探索 |
| 3.1.1 工艺探索 |
| 3.1.2 XRD结果 |
| 3.1.3 ρ-T结果 |
| 3.2 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶靶材的表征 |
| 3.2.1 RD结构表征 |
| 3.2.2 SEM形貌观察 |
| 3.3 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶靶材的电输运性能 |
| 3.3.1 电阻率温度曲线 |
| 3.3.2 Hall测试结果 |
| 3.4 Mg的掺杂效应 |
| 3.4.1 Mg掺杂对晶体结构和晶粒形貌的影响 |
| 3.4.2 Mg掺杂对电输运性能的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜制备及电输运性质和LIV效应 |
| 4.1 薄膜生长 |
| 4.1.1 衬底和靶材 |
| 4.1.2 制备流程及生长工艺 |
| 4.1.3 薄膜生长的较佳工艺 |
| 4.2 薄膜的外延性表征 |
| 4.2.1 薄膜的面内φ扫描 |
| 4.2.2 倾斜薄膜的XRD表征 |
| 4.3 薄膜的AFM观察 |
| 4.4 薄膜的厚度及透光性 |
| 4.4.1 截面的SEM观察 |
| 4.4.2 透射光谱 |
| 4.4.3 光学带隙拟合 |
| 4.5 薄膜的ρ-T测量及电输运各向异性 |
| 4.5.1 平直与倾斜衬底上薄膜的ρ-T曲线对比 |
| 4.5.2 电阻率各向异性推导 |
| 4.5.3 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜中的电输运各向异性 |
| 4.6 c轴倾斜薄膜的LIV效应及机制探索 |
| 4.6.1 CuCrO_2薄膜的LIV响应 |
| 4.6.2 CuCr_(0.08)Mg_(0.02)O_2薄膜的LIV信号 |
| 4.6.3 薄膜LIV效应与电阻率的关联 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点和展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 硕士期间发表的论文 |
（3）CuCr1-xMgxO2多晶、薄膜的制备及其热电输运性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 CuCrO_2材料体系综述 |
| 1.1 铜铁矿结构材料的研究背景和进展 |
| 1.2 晶体结构与电子结构 |
| 1.3 热电输运性能及电阻率各向异性 |
| 1.4 激光感生电压(LIV)效应介绍 |
| 1.5 应用前景 |
| 1.6 研究意义和内容 |
| 1.6.1 研究目的及意义 |
| 1.6.2 研究的主要内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 多晶制备 |
| 2.2 薄膜制备 |
| 2.2.1 PLD系统与工作原理 |
| 2.2.2 PLD技术特点与工艺变量 |
| 2.3 材料的表征 |
| 2.3.1 多晶XRD表征 |
| 2.3.2 薄膜XRD表征 |
| 2.3.3 SEM表征 |
| 2.4 材料的性能测试 |
| 2.4.1 电阻率-温度曲线 |
| 2.4.2 热电势-温度曲线 |
| 2.4.3 多晶块材磁学性能测试原理 |
| 2.4.4 激光感生电压信号测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶制备及性能研究 |
| 3.1 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶制备 |
| 3.1.1 原料准备 |
| 3.1.2 工艺流程 |
| 3.2 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶的表征 |
| 3.2.1 XRD相结构表征 |
| 3.2.2 SEM形貌观察 |
| 3.3 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶的热电输运性能 |
| 3.3.1 电阻率温度曲线 |
| 3.3.2 热电势-温度曲线 |
| 3.3.3 CuCrO_2多晶的磁性质 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜制备及电输运性质和LIV效应 |
| 4.1 薄膜生长 |
| 4.1.1 衬底和靶材 |
| 4.1.2 制备流程及生长工艺 |
| 4.2 薄膜相结构和取向表征 |
| 4.2.1 平直薄膜的XRD表征 |
| 4.2.2 倾斜薄膜的XRD表征 |
| 4.3 薄膜的ρ-T测量及电输运各向异性 |
| 4.3.1 平直薄膜的ρ-T曲线 |
| 4.3.2 平直与倾斜衬底上薄膜的ρ-T曲线对比 |
| 4.3.3 电阻率各向异性推导 |
| 4.3.4 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜中的电输运各向异性 |
| 4.4 c轴倾斜薄膜的LIV效应及机制探索 |
| 4.4.1 Mg掺杂量对CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜的LIV响应 |
| 4.4.2 不同倾斜角度对CuCr_(0.92)Mg_(0.08)O_2薄膜的LIV响应 |
| 4.4.3 不同激光能量密度对CuCr_(0.92)Mg_(0.08)O_2薄膜的LIV响应 |
| 4.4.4 薄膜LIV效应的机制讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点和展望 |
| 5.2.1 创新点 |
| 5.2.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 硕士期间发表的论文 |
（4）一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 片式钽电容器的发展历史和发展趋势 |
| 1.1.1 钽金属 |
| 1.1.2 片式钽电容器的发展历史 |
| 1.1.3 片式钽电容器主要作用及应用领域 |
| 1.1.4 片式钽电容器的发展趋势 |
| 1.2 片式钽电容器简介 |
| 1.2.1 片式钽电容器结构原理 |
| 1.2.2 片式钽电容器主要制造流程 |
| 1.2.3 片式钽电容器的主要电性能参数和失效模式 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.4 课题研究意义、研究目标和研究内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 研究目标 |
| 1.4.3 研究内容 |
| 1.5 本章小结 |
| 第二章 五氧化二钽氧化膜形成机理及性质特征 |
| 2.1 五氧化二钽介质氧化膜形成过程 |
| 2.1.1 形成设备 |
| 2.1.2 五氧化二钽介质氧化膜形成过程 |
| 2.2 五氧化二钽氧化膜形成过程机理 |
| 2.2.1 正负极电极反应 |
| 2.2.2 五氧化二钽氧化膜形成的离子迁移理论 |
| 2.2.3 高场强下的离子电导基本方程 |
| 2.3 五氧化二钽氧化膜结构特征及晶化现象 |
| 2.3.1 五氧化二钽氧化膜结构特征 |
| 2.3.2 钽氧化膜晶化 |
| 2.3.3 钽氧化膜晶化的危害 |
| 2.4 钽氧化膜厚度测量 |
| 2.5 五氧化二钽氧化膜漏电流机理 |
| 2.5.1 五氧化二钽氧化膜漏电流机理 |
| 2.5.2 PF(Poole Frankel)效应 |
| 2.5.3 电子隧穿 |
| 2.6 五氧化二钽氧化膜的热处理 |
| 2.7 五氧化二钽氧化膜性质及应用 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压的关系 |
| 3.1 固体电介质击穿理论 |
| 3.1.1 固体电介质的击穿 |
| 3.1.2 固体电介质的击穿机制 |
| 3.1.3 固体电介质击穿电压与电介质厚度的关系 |
| 3.2 片式钽电容器耐压能力表征及其测试系统 |
| 3.2.1 片式钽电容器耐压能力表征 |
| 3.2.2 片式钽电容器击穿电压测试系统 |
| 3.2.3 片式钽电容器浪涌电流测试系统 |
| 3.3 片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压关系实验 |
| 3.3.1 片式钽电容器耐压能力的测试方法 |
| 3.3.2 片式钽电容器击穿电压与其形成电压关系测试结果及分析 |
| 3.3.3 片式钽电容器耐浪涌电流能力与其形成电压关系测试结果及分析 |
| 3.4 片式钽电容器耐压能力与其形成电压关系分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法 |
| 4.1 快速形成方法的设计 |
| 4.2 快速形成的工艺条件选择 |
| 4.2.1 形成液的选择 |
| 4.2.2 形成温度的选择 |
| 4.2.3 快速形成电压的选择 |
| 4.2.4 快速形成的电流密度和恒压时间 |
| 4.3 快速形成方法的适用范围 |
| 4.4 快速形成方法对片式钽电容器耐压性能的提升效果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（5）氧化物异质结的功能设计和激发态载流子动力学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 理论计算方法介绍 |
| 1.1 密度泛函理论 |
| 1.1.1 多体体系哈密顿量 |
| 1.1.2 Born-Oppenheimer近似 |
| 1.1.3 Hartree-Fock近似 |
| 1.1.4 Thomas-Fermi近似 |
| 1.1.5 Hohenberg-Kohn定理 |
| 1.1.6 Kohn-Sham方程 |
| 1.1.7 交换关联能量泛函 |
| 1.2 非绝热分子动力学理论 |
| 1.2.1 非绝热耦合量 |
| 1.2.2 面跳跃方法 |
| 1.2.3 量子退相干 |
| 1.2.4 基于含时密度泛函的面跳跃方法 |
| 1.2.5 Hefei-NAMD计算流程 |
| 1.3 自适应基因算法 |
| 1.3.1 基因算法 |
| 1.3.2 辅助经典势 |
| 1.3.3 力匹配方法 |
| 1.3.4 AGA计算流程 |
| 第2章 极性-非极性异质结调控湿电子态 |
| 2.1 研究背景 |
| 2.2 计算细节 |
| 2.2.1 密度泛函理论计算细节 |
| 2.2.2 激发态动力学计算细节 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 LAO/STO异质结的内建电场 |
| 2.3.2 P型LAO/STO异质结表面湿电子态的基态性质 |
| 2.3.3 N型LAO/STO异质结表面湿电子态的基态性质 |
| 2.3.4 湿电子态的激发态动力学性质 |
| 2.3.5 讨论 |
| 2.4 小结 |
| 第3章 二氧化钛异质结光生载流子动力学 |
| 3.1 背景介绍 |
| 3.1.1 锐钛矿和金红石体相的几何结构与电子结构 |
| 3.1.2 锐钛矿/金红石TiO_2异质结能带对齐方式 |
| 3.2 计算细节 |
| 3.2.1 TiO_2界面构建 |
| 3.2.2 自适应基因算法计算细节 |
| 3.2.3 密度泛函理论计算细节 |
| 3.2.4 激发态动力学计算细节 |
| 3.2.5 表面悬挂键测试 |
| 3.2.6 泛函测试 |
| 3.2.7 K点测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 无缺陷TiO_2异质结的能带对齐 |
| 3.3.2 无缺陷A/R异质结的电子-空穴分离动力学过程 |
| 3.3.3 有氧空位A/R异质结的能带对齐方式 |
| 3.3.4 有氧空位A/R异质结的电子-空穴分离动力学过程 |
| 3.3.5 基于DISH的电子-空穴复合 |
| 3.3.6 基于DCSH的电子-空穴复合 |
| 3.3.7 讨论 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 钾促进氧气在金表面化学吸附 |
| 4.1 背景介绍 |
| 4.2 实验结果 |
| 4.2.1 实验方法简介 |
| 4.2.2 K_2O_2团簇的形成 |
| 4.2.3 K_2O_2团簇的dl/dV谱 |
| 4.2.4 较高覆盖度下K-O_2聚合物的结构 |
| 4.3 DFT计算结果 |
| 4.3.1 计算方法简介 |
| 4.3.2 DFT计算模拟K_2O_2团簇的形成 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
四、HCM202薄膜计算机（论文参考文献）
- [1]HCM202薄膜计算机[J]. M.M.Dalton. 电子计算机参考资料, 1967(01)
- [2]宽禁带CuCr1-xMgxO2材料的制备及光、电性能和LIV效应研究[D]. 樊堃. 昆明理工大学, 2016(07)
- [3]CuCr1-xMgxO2多晶、薄膜的制备及其热电输运性能研究[D]. 刘丹丹. 昆明理工大学, 2017(01)
- [4]一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究[D]. 田超. 西安电子科技大学, 2019(05)
- [5]氧化物异质结的功能设计和激发态载流子动力学研究[D]. 王亚南. 中国科学技术大学, 2019(08)