一、铝合金中硅的分析（论文文献综述）
戴洪尚[1]（2009）在《超高硅铝合金中硅相的细化与界面性质研究》文中进行了进一步梳理过共晶Al-Si合金由于具有高的比强度和良好的铸造性能,得到了广泛的应用。制约过共晶Al-Si合金应用的关键是初晶Si的尺寸和形貌。对于含Si量大于50wt.%的Al-Si合金,初晶Si异常粗大,导致难以应用。超高硅铝合金在电子封装等领域具有特殊的用途;并且具有高的硬度和良好的耐磨性等优良性能,因而具有潜在的应用价值。因此,开展超高硅铝合余的晶粒细化研究具有现实意义。在细化机理方面,现有文献局限于晶格错配度理论,缺乏从原子层次上研究异质形核界面的结合情况,而这对于进一步揭示细化机理有理论意义。本文利用高倍视频金相显微镜（HSVM）、电子探针显微分析仪（EPMA）、扫描电镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、差式扫描量热仪（DSC）、高温熔体X射线衍射仪等测试手段研究了采用Si-20P中间合金细化超高硅铝合金的规律;采用高性能计算软件Materials Studio,用第一性原理研究了超高硅铝合金细化过程中涉及到的几种物相:TiC、AlP、Si和Al,研究了这4种物相的体性质、表面性质和它们之间的界面性质,研究了界面附近原子间的结合情况。考虑到吸附行为在形核初期的重要性,还研究了Si原子在AlP表面的吸附问题。主要研究工作和结果如下:发现采用新型Si-20P中间合金可以有效细化含Si量在30-70wt.%范围的铝合金,使初晶Si尺寸由2-6mm细化至30-50μm。在Si含量达到50wt.%时,所需要的临界细化温度和临界加P量都存在突变现象,Si含量小于50wt.%时,细化所需要的最小过热度△Tmin小于100K(△Tmin=Tmin-TL,Tmin为临界细化温度,TL为液相线温度);而当Si含量大于50wt.%时,细化所需要的最小过热度△Tmin基本上为恒定值260K。利用高温熔体X射线衍射仪研究了Al-50Si合金熔体微观结构随温度的变化,发现上述突变现象与其熔体微观结构随温度的演化有关。通过对熔体的相关半径、团簇平均原子个数和配位数等的比较,发现在低过热熔体中,团簇的尺寸明显增加,而配位数增加幅度较小。即在较低的过热温度下,熔体中存在中程有序结构特征,因而不能达到良好的细化效果。在结构因子图中,当Al和Si的特征峰均不明显时,方可达到良好的细化效果。提出了细化超高硅铝合金的两种新方法,可以有效细化含Si量高达70wt.%的铝合金。一种是采用Si-20P中间合金细化,并根据试验数据得出了临界细化温度和临界加P量的经验公式;第二种是运用TiC/AlP复合粒子形核的原理,采用Si-20P中间合金和适当配比的Al-TiO2-C粉末压块体来细化,这样不仅可以提高细化效果,而且较前一种方法降低所需熔体温度100K左右。在细化后的初晶Si内部观察到TiC/AlP复合粒子,分析了Al-TiO2-C混合粉在熔体中的反应过程以及原位生成的TiC粒子与AlP的相互作用。观察并分析了Si-20P中间合金在铝熔体中的反应、扩散、长大和溶解过程。（1）该中间合金中的SiP与铝熔体发生反应生成颗粒状的AlP聚集体,随保温时间延长颗粒状AlP发生扩散并长大为条状;（2）熔体经历高温以后,条状AlP发生溶解,凝固后析出成短针状。AlP在Al-Si合金中可能的存在形态有:颗粒状、短针状、长条状和粗大的板片状,不同形态的AlP对初晶Si细化的促进作用亦不相同。细小弥散分布的AlP对初晶Si的细化最为有利,而熔体中存在粗大或板片状的AlP则使生成的初晶Si非常粗大。由于AlP很容易在抛光或放置过程中与水蒸汽发生反应,故在文献中常看到的初晶Si内的AlP相,实际上是氧化后的含P相。本文采用特殊方法制备了未氧化的试样,在背散射照片中观察到未氧化的AlP相,它与初晶Si的颜色基本一致。用差热分析仪对细化前后的Al-50Si合金进行分析发现,加P细化后的合金初晶Si的析出温度明显升高,形核过冷度显著降低。通过调整凝固条件和加P量,可以改变初晶Si的生长形貌,使超高硅铝合金中的初晶Si也可存在类似共晶Si变质后的珊瑚状形态。研究了AlP（100）、（110）和（111）面原子层数从2层到6层变化时表面能的变化,AlP的（100）、（110）和（111）面分别达到3、4、5层以后,表面能即不再明显变化,此时已经显示出体性质。经计算得出:（100）表面能最高,（111）表面能次之,（110）表面能最小。6层AlP（111）面在弛豫后,表面朝向真空层的一侧电子密度显著减少,P原子所在的位置电子密度有所减少,而Al原子所在的位置电子密度有所增加。AlP（111）面在弛豫后,费米能附近的DOS峰值显著下降,经过弛豫后表面稳定性增加。表面弛豫不仅引起表面几何结构的变化,而且使表面层的电子结构与键合特性发生变化,弛豫后表面层原子的部分价电子转移到了真空层,使表面层原子的电子态密度发生变化,而且还出现新的表面态。研究发现,AlP不同表面上的电子态密度在费米能级处的峰值不相同,这反映了不同表面性质的差异。对表面不同原子层局域电子态密度的分析发现,AlP表面性质主要受第一层和第二层原子的影响。Al原子随着表面深度的增加,费米能处的DOS峰值迅速下降。对AlP表面稳定性的研究发现,AlP（111）面的表面自由能依赖于体系的化学成分,在一定范围内变动。当Al的化学势较低时,AlP以P终止更稳定:而当Al的化学势较大时,AlP以Al终止更稳定。总体上,在大部分区域以P终止更稳定。研究了AlP/Si界面结合能的大小,发现同一晶面结合时,P-Si比Al-Si的界面结合能大;锯齿形结合界面能较大,同时界面间距较小,说明结合后更稳定。由于AlP存在极性表面和非极性表面,这对AlP/Si的界面影响很大:经过仔细比较DOS图发现,费米面附近分两类情况:一类是费米面附近DOS数值很小,对应非极性AlP表面和Si组合的界面类型;另一类则是在费米能级处的DOS数值较高,有的还存在小峰,属于极性AlP表面和Si组合的类型。极性AlP表面与Si形成Al-Si结合界面时,费米面附近的DOS主要是Al原子的贡献。对于Si-P界面类型,费米面附近的DOS主要来自P原子的贡献。所有的AlP/Si界面都显示了一定的离子性质,即Si原子在Si-Al结合时将得到电子,而在Si-P结合时将失去电子。在各种界面结合中,起主导作用的是Si-Al或Si-P共价键。当Al或P原子不是直接位于Si原子的上方,而是位于Si原子之间时,界面间距较小,同时界面结合能也较大,说明这种界面更稳定。经过弛豫后,Si原子发生了一定的横向移动,不再停留在原来Al或P原子的上方,而是倾向于停留在Al与P原子中间,从而形成锯齿形的结合界面。发现Si原子在AlP不同表面的吸附能均较大。Si-P结合方式有时以双键结合,有时以三键结合,Si-Al结合则均是以单键结合。Si与P成键时的吸附能比Si与Al原子成键时的吸附能大。在吸附过程中,Si原子受P原子的影响要比Al原子大。同时研究了细化后合金中的其它界面结合情况。一是研究了两种Si-Al界面的结合:[110]si//[112]Al,[103]si//[110]Al,得出第二种界面结合能更高,界面间距更小;通过研究这两种Si/Al界面的电荷密度分布和差分电荷密度分布,得出Al-Si之间呈现较弱的共价键,界面处的Al原子与Si原子成单键结构;通过原子布居分析,发现它们之间也存在少量的离子键成分。二是研究了TiC/AlP界面,得出它们的界面形成需要吸收大量的能量,即TiC与AlP之间形成界面是一个吸热过程。原位反应生成的TiC易于和AlP结合,反应时放出的热量为TiC与AlP的界面结合提供了能量条件。
马立敏[2]（2012）在《旋转磁场下铝合金熔体中硅颗粒分布规律的研究》文中研究说明本论文选取高硅铝合金A390作为实验材料，利用合金凝固过程中析出的初生硅颗粒来模拟熔体中非金属夹杂物，研究了不同参数单向旋转磁场、正反转交替式旋转磁场下合金熔体中非金属夹杂物颗粒分布规律，并对旋转磁场分离非金属夹杂物的作用机理进行了探讨。研究发现：（1）单向旋转电磁场作用下，初生硅颗粒向试样心部迁移并发生碰撞聚合，形成较大尺寸的硅颗粒团。（2）旋转磁场的电流大小决定了硅颗粒的向上迁移的能力，频率的高低决定了硅颗粒的碰撞次数的多少，即颗粒碰撞的程度，适当延长磁场处理时间可以使硅颗粒上浮的效果更明显。（3）正反转旋转磁场是磁场旋转方向随转动时间而发生变化的一种电磁场，发生原理与旋转磁场相同，只有运行方式不同，在大频率的基础上进一步增加颗粒的碰撞频率与力度，促使硅颗粒长大为大尺寸硅颗粒，然后这些大尺寸硅颗粒可以更快的上浮至试样顶端。（4）正反转旋转磁场下的电流同样决定了硅颗粒上浮的能力，再上浮的过程中还会发生碰撞长大的现象，频率增加也明显发生了颗粒长大并聚集成团的现象。磁场处理时间适当延长有利于非金属夹杂物的上浮，转动时间存在一个最佳的范围，超过此范围则除杂效果减弱。（5）增加旋转磁场和正反转旋转磁场的电流和频率，并非越大越好，当电流过大、频率过高时会使迁移至试样顶部的硅颗粒重新卷入金属基体中，会使去除非金属夹杂物的效果减弱。结果表明：（1）旋转磁场和正反转旋转磁场可以使有密度差异的颗粒发生定向迁移，从而达到去除夹杂物的目的。（2）磁场电流和频率对去除非金属夹杂物的效果有个现增加后减弱的现象。（3）在适当电流和频率的范围内，电流增加可以提高硅颗粒的迁移效果，频率增加可以提高硅颗粒长大的能力，适当延长磁场处理时间则可以更有利于去除夹杂物。
吴米贵,刘君武,蒋会宾,贺港,尹辉[3]（2014）在《铝合金中硅含量对无压浸渗Si3N4/Al复合材料性能的影响》文中提出对不同硅含量的铝合金无压浸渗Si3N4预制件制备了Si3N4/Al复合材料,并对其性能进行了研究分析。结果表明:在无压浸渗过程中,Si3N4与铝合金发生了界面反应;Si3N4/Al复合材料的断裂机制以基体的韧性撕裂和增强体的脆性断裂为主;当无压浸渗用铝合金中硅质量分数从0增加到12%时,Si3N4/Al复合材料的硬度由69HRA增加到77HRA,抗弯强度由498MPa降低至333MPa。
罗策,李剑,颜燕,刘婷,康琼,赵武丽,卢凡[4]（2021）在《电感耦合等离子体发射光谱测定钼铝合金中硅含量的方法研究》文中进行了进一步梳理采用王水、氢氟酸在180℃加热条件下溶解试样,全面分析了硅元素的212.412、221.667、251.611、252.851、288.158 nm五条分析谱线的受干扰情况,最终选择了灵敏度和信噪比较高、受钼基体干扰程度较小的Si 288.158 nm为分析谱线。使用多谱线拟合（MSF）技术建立了Si 288.158 nm的光谱校正模型,通过校正模型对样品检测信号峰进行了校正,消除了基体钼（Mo 288.137 nm）的光谱干扰,建立了电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定钼铝合金中硅含量的方法。该方法在0.10～5.00 mg/L范围内（对应固体样品中硅的质量分数范围为0.010%～0.50%）,硅的工作曲线线性关系良好,相关系数为0.9995;方法检出限和定量限分别为23μg/g和76μg/g;对3个不同含量的钼铝样品中的硅含量进行了测定,测定结果的相对标准偏差（RSD）在0.76%～1.36%之间,加标回收率在98.0%～106%范围,与标准（YS/T 1075.3-2015）中钼蓝分光光度法的测定结果一致。
余莉莉[5]（2018）在《ICP-AES法测定铸造铝合金中Si的含量》文中研究说明提出用电感耦合等离子体发射光谱法测定铸造铝合金中Si元素的方法。通过实验确定了样品的溶样方法,最优工作参数和干扰最少分析谱线。方法经精密度,准确度等实验。表明该方法简单,准确,高效。
谢文博,李刚,杨峥,张佩佩,叶晓英[6]（2020）在《电感耦合等离子体发射光谱法测定高纯铝中硅》文中研究指明建立电感耦合等离子体发射光谱（ICP–AES）法测定高纯铝中硅元素的分析方法。样品采用碱溶法进行预处理,以氢氧化钠溶液溶解,再加入盐酸、硝酸酸化。选取了硅251.611 nm分析谱线进行分析。硅的质量分数在0.001%～0.01%范围内与光谱强度具有良好的线性关系,线性相关系数为0.999 1。该方法检出限为0.000 12%,测定结果的相对标准偏差不大于10.2%（n=8）,加标回收率为93.2%～104.2%。该方法操作简便,测定结果准确、可靠,适用于快速检测高纯铝中硅元素,具有推广价值。
罗琳,王金磊,刘雷雷,李波,孙宝莲,禄妮[7]（2018）在《分光光度法和ICP-AES法测定钒铝合金中硅含量的对比研究》文中进行了进一步梳理介绍了两种测定钒铝合金中硅含量的方法:分光光度法和电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES法）。分别采用分光光度法和电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES法）测定钒铝合金中硅的含量。结果表明,两种检测方法的结果一致,方法重复性好,准确度高,都可以满足钒铝合金中硅含量的分析要求。分光光度法对仪器和环境要求较低;ICP-AES法具有操作简单,效率高,直接进样,试剂用量少,结果重现性好,稳定可靠等特点,是值得推广应用的钒铝合金中硅含量的快速检测方法。
周礼仙,郑小敏,苏洋[8]（2015）在《硅钼蓝分光光度法测定钒铝合金中硅》文中提出采用硝酸和盐酸分解样品,试液经煮沸除去氧氮化物后,用亚硫酸钠将五价钒还原为四价钒。微酸性溶液中,钼酸铵与正硅酸作用生成硅钼黄杂多酸,用硫酸亚铁铵将硅钼黄还原成硅钼蓝,建立了硅钼蓝分光光度法测定钒铝合金中硅的方法。结果表明,显色液中硅质量浓度在0.012.47μg/mL范围内符合比尔定律,校准曲线的线性回归方程为y=4.433 x,相关系数R2=0.999 3。方法中硅的检出限和测定下限分别为0.003 3%和0.011%（质量分数）。实验方法应用于钒铝合金样品中硅的测定,测定结果的相对标准偏差（RSD,n=8）为0.17%0.52%;加标回收率为99%102%。按照实验方法测定钒铝合金样品中硅,结果与使用电感耦合等离子体原子发射光谱法的测定结果一致。
张婕[9]（2010）在《钼蓝光度法测定铝及铝合金中硅的含量》文中研究表明介绍了用钼蓝光度法测定铝及铝合金中硅含量的方法。铝合金样品用氢氧化钠分解,硝酸酸化。在弱酸性溶液中,加入钼酸铵,使硅酸根离子与钼酸根离子形成黄色络合物,在硫酸介质中用抗坏血酸还原成硅钼蓝,测定其吸光度。结果表明:该方法操作简单,测定铝及铝合金中硅的含量范围广（0.1%～12%）。方法的稳定性、重现性和准确性都良好,能满足铝及铝合金中硅含量的分析检测要求。
白英丽,王佳丽,孙洪涛,张健康[10]（2019）在《硅钼蓝分光光度法测定高铍铍铝合金中硅》文中研究指明高铍铍铝合金中的杂质元素硅对高铍铍铝合金热等静压、精密铸造及耐腐蚀性能影响较大,需要对其含量进行严格控制,所以测定高铍铍铝合金中的硅具有重要意义。采用硫酸（1+1）、硝酸和氢氟酸于水浴条件下溶解试样,用硼酸掩蔽剩余氟离子,在0.10～0.15mol/L硫硝混酸介质下,钼酸铵与硅反应生成硅钼黄杂多酸,稳定20min后,用草酸掩蔽铁离子,同时加入抗坏血酸将硅钼黄还原成硅钼蓝,放置10min,于波长820nm处采用分光光度法进行测定,实现了硅钼蓝分光光度法对高铍铍铝合金（铍的质量分数为60%～70%）中硅的测定。在优化的实验条件下,试液中硅质量在10～60μg范围内与其对应的吸光度呈良好的线性关系,相关系数为1.000,方法中硅的检出限和测定下限分别为0.002 1%（质量分数,下同）和0.007 1%。按照实验方法测定60BeAl和70BeAl两个高铍铍铝合金试样中硅含量,测得结果的相对标准偏差（RSD,n=8）为2.9%～3.4%。将实验方法用于测定高铍铍铝合金实际试样中硅含量,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）相吻合。
二、铝合金中硅的分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、铝合金中硅的分析（论文提纲范文）
（1）超高硅铝合金中硅相的细化与界面性质研究（论文提纲范文）
| 目录 |
| CONTENTS |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 本文的主要创新点 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1.材料微观尺度的划分与研究方法 |
| 1.2 金属及合金凝固组织微细化 |
| 1.2.1 金属及合金凝固组织微细化的意义 |
| 1.2.2 金属及合金凝固的组织微细化技术 |
| 1.2.3 中间合金在微细化技术中的应用 |
| 1.3 超高硅Al-Si合金的研究现状 |
| 1.3.1 Al-Si合金研究现状 |
| 1.3.2 超高硅铝合金的研究现状与潜在的应用前景 |
| 1.4 过共晶Al-Si合金的加P处理 |
| 1.4.1 Al-Si合金中硅相的变质处理 |
| 1.4.2 加P方式的比较 |
| 1.4.2.1 含赤磷粉的混合变质剂 |
| 1.4.2.2 磷盐复合变质剂 |
| 1.4.2.3 含P中间合金变质剂 |
| 1.5 第一性原理在材料研究领域的应用 |
| 1.6 本文的主要研究内容、目的及意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 试验与计算方法 |
| 2.1 试验研究方法 |
| 2.1.1 试验技术路线 |
| 2.1.2 试验材料与设备 |
| 2.1.3 细化与变质试验 |
| 2.1.4 试样的制备与检测 |
| 2.1.5 液态X射线衍射分析 |
| 2.2 计算方法 |
| 2.2.1 第一性原理的量子理论基础 |
| 2.2.2 密度泛函理论 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 |
| 2.2.5 交换相关泛函 |
| 2.2.6 自洽计算 |
| 2.2.7 赝势法 |
| 2.2.8 第一性原理计算实现途径 |
| 2.2.9 Si/Al、AlP/Si界面第一性原理计算过程及参数设定 |
| 参考文献 |
| 第三章 超高硅铝合金初晶Si的微细化工艺 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Si-20P中合金在Al-Si合金熔体中的反应过程 |
| 3.3 临界细化工艺条件的确定 |
| 3.4 AlP复合粒子形核低温熔体技术 |
| 3.5 试样制备方法对检测结果的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 超高硅铝合金的液态结构与初晶Si细化机理 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 超高硅铝合金的液态结构 |
| 4.3 超高硅铝合金细化的热力学与动力学分析 |
| 4.4 超高硅铝合金中AlP和初晶Si的形貌及生长机理 |
| 4.4.1 AlP的不同形态及对初晶Si生长的影响 |
| 4.4.2 初晶Si的生长形貌及其形成机制 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 硅相形核界面性质的第一性原理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 体性质的第一性原理研究 |
| 5.2.1 Al的体性质计算 |
| 5.2.2 Si的体性质计算 |
| 5.2.3 AlP的体性质计算 |
| 5.2.4 TiC的体性质计算 |
| 5.3 表面性质的第一性原理研究 |
| 5.3.1 Al表面的研究 |
| 5.3.2 Si表面的研究 |
| 5.3.3 AlP表面的研究 |
| 5.3.4 TiC表面的研究 |
| 5.4 AlP表面稳定性的研究 |
| 5.5 界面性质的第一性原理研究 |
| 5.5.1 Si/Al界面的研究 |
| 5.5.2 AlP/Si界面的研究 |
| 5.5.3 TiC/AlP界面的研究 |
| 5.6 Si原子在AlP表面吸附行为的第一性原理研究 |
| 5.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 附录 |
| 附录Ⅰ:攻读博士学位期间发表的论文: |
| 附录Ⅱ:攻读博士学位期间获奖情况与参与的项目: |
| 部分论文 |
| Refinement performance and mechanism of an Al-50Si alloy |
| The combined effect of titanic carbide and aluminum phosphide on the refinement of primary silicon in Al-50Si alloy |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（2）旋转磁场下铝合金熔体中硅颗粒分布规律的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 电磁场作用下流体中颗粒运动的理论基础 |
| 1.2.2 已有电磁净化磁场种类概述 |
| 1.2.3 影响电磁分离效果的因素 |
| 1.3 主要研究内容 |
| 第2章 实验设备、材料与研究方法 |
| 2.1 实验材料及其制备 |
| 2.2 实验设备及其原理 |
| 2.2.1 旋转磁场发生设备及其原理 |
| 2.2.2 真空熔炼炉 |
| 2.2.3 高斯计 |
| 2.3 实验研究方法 |
| 2.3.1 试样制备过程 |
| 2.3.2 表征方法 |
| 2.3.3 取样方法 |
| 2.3.4 试样的宏观组织观察 |
| 2.3.5 试样的微观组织观察 |
| 第3章 旋转磁场下铝硅铜合金中初生硅颗粒的分布规律 |
| 3.1 改变电流对铝合金中硅颗粒分布规律的影响 |
| 3.2 改变角频率对铝合金中硅颗粒分布规律的影响 |
| 3.3 改变磁场处理时间对铝合金中硅颗粒分布规律的影响 |
| 3.4 结果讨论与分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 正反转交替的旋转磁场下铝合金中硅颗粒的分布规律 |
| 4.1 改变电流对硅颗粒分布的影响 |
| 4.2 改变频率对硅颗粒分布的影响 |
| 4.3 磁场处理时间对硅颗粒分布规律的影响 |
| 4.3.1 磁场处理总时间对硅颗粒分布的影响 |
| 4.3.2 改变正转和反转的时间对硅颗粒分布的影响 |
| 4.4 结果讨论与分析 |
| 4.4.1 磁场强度轴向不均匀性对硅颗粒碰撞长大的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 不同磁场施加方式除杂效果的比较 |
| 5.1 实验结果 |
| 5.1.1 相同参数下两种旋转磁场除杂效果的比较 |
| 5.1.2 表征参数相同时两种磁场施加方式除杂效果的对比情况 |
| 5.1.3 大参数磁场处理试样的硅颗粒分布规律 |
| 5.2 结果分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）铝合金中硅含量对无压浸渗Si3N4/Al复合材料性能的影响（论文提纲范文）
| 1 试样制备与试验方法 |
| 2 试验结果与讨论 |
| 2.1 物相组成 |
| 2.2 显微结构和强度 |
| 2.3 硬度 |
| 3 结论 |
（4）电感耦合等离子体发射光谱测定钼铝合金中硅含量的方法研究（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 仪器与试剂 |
| 1.2 仪器工作条件 |
| 1.3 实验方法 |
| 1.3.1 分析试液制备 |
| 1.3.2 光谱干扰试验 |
| 1.3.3 MSF校正模型的建立 |
| 1.3.4 工作曲线溶液制备 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 试样溶解方法的确定 |
| 2.2 分析谱线干扰状况分析与选择 |
| 2.3 MSF校正模型的建立与干扰消除 |
| 2.4 工作曲线 |
| 2.5 检出限和定量限 |
| 2.6 精密度 |
| 2.7 加标回收试验 |
| 2.8 测定结果的方法间比对 |
| 3 结论 |
（5）ICP-AES法测定铸造铝合金中Si的含量（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 仪器及试剂 |
| 1.2 仪器工作条件 (见表1) |
| 1.3 实验方法 |
| 1.3.1 试样溶液的制备 |
| 1.3.2 标准溶液的制备 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 试样的溶解 |
| 2.2 分析谱线的选择 |
| 2.3 基体匹配测定 |
| 2.4 方法的准确度 |
| 2.5 精密度和加标回收实验 |
| 3 结论 |
（6）电感耦合等离子体发射光谱法测定高纯铝中硅（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 主要仪器与试剂 |
| 1.2 仪器工作条件 |
| 1.3 样品预处理 |
| 1.4 系列硅标准工作溶液的制备 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 基体元素和共存元素的光谱干扰 |
| 2.2 样品前处理方法选择 |
| 2.2.1 酸溶方法 |
| 2.2.2 碱溶方法 |
| 2.3 工作曲线方程及检出限 |
| 2.4 精密度试验 |
| 2.5 回收试验 |
| 3 结语 |
（7）分光光度法和ICP-AES法测定钒铝合金中硅含量的对比研究（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 仪器 |
| 1.2 试剂 |
| 1.3 实验方法 |
| 1.3.1 标准曲线的绘制 |
| 1.3.2 样品分解 |
| 1.3.3 样品测定 |
| 2 结果与分析 |
| 3 结论 |
（8）硅钼蓝分光光度法测定钒铝合金中硅（论文提纲范文）
| 1实验部分 |
| 1.1主要仪器与试剂 |
| 1.2实验方法 |
| 2结果与讨论 |
| 2.1分解方法 |
| 2.2显色酸度 |
| 2.3显色时间 |
| 2.4干扰的消除 |
| 2.5校准曲线和检出限 |
| 2.6精密度试验 |
| 2.7加标回收试验 |
| 2.8对比试验 |
（10）硅钼蓝分光光度法测定高铍铍铝合金中硅（论文提纲范文）
| 1 实验部分 |
| 1.1 主要仪器和试剂 |
| 1.2 实验原理 |
| 1.3 实验方法 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 吸收光谱 |
| 2.2 显色酸度 |
| 2.3 钼酸铵溶液加入量 |
| 2.4 硅钼黄的显色时间 |
| 2.5 抗坏血酸溶液加入量 |
| 2.6 硅钼蓝的显色时间 |
| 2.7 共存离子的影响 |
| 2.8 校准曲线和检出限 |
| 2.9 精密度试验 |
| 2.1 0 加标回收试验 |
| 3 样品分析 |
四、铝合金中硅的分析（论文参考文献）
- [1]超高硅铝合金中硅相的细化与界面性质研究[D]. 戴洪尚. 山东大学, 2009(04)
- [2]旋转磁场下铝合金熔体中硅颗粒分布规律的研究[D]. 马立敏. 清华大学, 2012(07)
- [3]铝合金中硅含量对无压浸渗Si3N4/Al复合材料性能的影响[J]. 吴米贵,刘君武,蒋会宾,贺港,尹辉. 理化检验(物理分册), 2014(06)
- [4]电感耦合等离子体发射光谱测定钼铝合金中硅含量的方法研究[J]. 罗策,李剑,颜燕,刘婷,康琼,赵武丽,卢凡. 分析科学学报, 2021(05)
- [5]ICP-AES法测定铸造铝合金中Si的含量[J]. 余莉莉. 化学工程与装备, 2018(06)
- [6]电感耦合等离子体发射光谱法测定高纯铝中硅[J]. 谢文博,李刚,杨峥,张佩佩,叶晓英. 化学分析计量, 2020(03)
- [7]分光光度法和ICP-AES法测定钒铝合金中硅含量的对比研究[J]. 罗琳,王金磊,刘雷雷,李波,孙宝莲,禄妮. 河南化工, 2018(06)
- [8]硅钼蓝分光光度法测定钒铝合金中硅[J]. 周礼仙,郑小敏,苏洋. 冶金分析, 2015(11)
- [9]钼蓝光度法测定铝及铝合金中硅的含量[J]. 张婕. 金属材料与冶金工程, 2010(02)
- [10]硅钼蓝分光光度法测定高铍铍铝合金中硅[J]. 白英丽,王佳丽,孙洪涛,张健康. 冶金分析, 2019(09)