一、蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象（论文文献综述）
褚一鸣,昝育德,杨大宇,刘维[1]（1984）在《蓝宝石—硅（SOS）界面的高分辨电子显微象》文中指出 蓝宝石—硅外延（SOS）材料具有低功耗和抗辐照等优点,在超大规模集成电路方面有很好的应用前景。由于硅外延层和蓝宝石衬底之间晶面间距失配较大（约10％）,在界面处存在高密度的缺陷。研究这种缺陷的性质及其形成机理,对控制和消除这些缺陷提高SOS材料的完整性是很有意义的。近几年有一些关于用高分辨电子显微术研究这种缺陷的报导。由于制样技术的困难,这方面的工作开展不多。本文报导我们在获得SOS界面的HREM象方面的进展情况。 SOS样品用硅烷热分解法在980℃沉积在直拉法生长的蓝宝石单晶衬底上。衬底表面为{1102}面,硅外延
褚一鸣,昝育德,杨大宇,刘维[2]（1983）在《蓝宝石—硅（SOS）界面的高分辨电子显微象》文中研究指明 蓝宝石—硅外延（SOS）材料具有低功耗和抗辐照等优点,在超大规模集成电路方面有很好的应用前景。由于硅外延层和蓝宝石衬底之间晶面间距失配较大（约10%）,在界面处存在高密度的缺陷。研究这种缺陷的性质及其形成机理,对控制和消除这些缺陷提高SOS材料的完整性是很有意义的。近几年有一些关于用高分辨电子显微术研究这种缺陷的报导。由于制样技术的困难,这方面的工作开展不多。本文报导我们在获得SOS界面的HREM象方面的进展情况。SOS样品用硅烷热分解法在980℃沉积在直拉法生长的蓝宝石单晶衬底上。衬底表面为{1102}面,硅外延
吴志乾[3]（2019）在《石墨烯及二维半导体异质光电器件研究》文中研究说明石墨烯是一种由单层碳原子构成的半金属,也是最具代表性的二维材料。在2004年石墨烯被制备以前,人类可以制备和利用三维、一维以及零维材料来构建各种功能的器件。然而二维材料的制备却迟迟未能取得突破,这是因为当时人们普遍认为石墨烯由于其晶格的不稳定性,在常温常压下无法稳定存在,故鲜有课题组有针对性地进行制备。石墨烯的发现,恰似是拼图的最后一片,打开了在全新维度框架下对物理、器件进行研究的大门。石墨烯的出现表明人们有可能在单原子层或多原子层的水平上构建器件,而这也代表了未来科学技术发展的方向。因此石墨烯一经面世,便在全世界范围内掀起了研究浪潮,进一步研究陆续发现了许多新型二维材料,特别是二维半导体如硅烯和过渡金属硫属化物,具有与块体半导体截然不同的性质。自石墨烯的发现者Andre Geim和Konstantin Novoselov摘得诺贝尔奖至今已九年,石墨烯被发现至今也已过了十五年,期间二维材料在物理方面的研究层出不穷,然而人们亟需探索其在实际生产生活中的可能应用。目前为止,国际上公认石墨烯与二维半导体在光电器件领域有独特的优势。以石墨烯为例,其透明度高、导电性好、载流子迁移率高,在电子器件或是光电器件方面有广阔应用前景。然而石墨烯及二维导半体在应用于光电器件时,存在诸如吸光率过低、器件无法关断等问题,而光电器件各领域在发展中又迫切需要对现有器件的性能进行提高。如何解决这些问题?石墨烯及二维导半体的异质结构会是一种行之有效的解决方法。同时石墨烯及二维半导体又可以直接与传统三维半导体复合,形成结区位于表面的异质结,从而极大拓展器件的应用范围。不同二维半导体之间也性质各异,可利用多种二维半导体构建光电器件,在不同二维半导体间取长补短,提高器件的性能。石墨烯及二维半导体与三维半导体之间形成的二维/三维异质结构具有独特的物理内涵和应用价值。以石墨烯/砷化镓异质结为例,从载流子动力学角度上看,石墨烯本身也具有超宽带光吸收及多激子效应,可参与到载流子产生的过程中,同时异质结中光生载流子可在飞秒量级内在石墨烯与砷化镓之间进行转移,可提高载流子的收集效率。从载流子空间分布角度上看,其耗尽层与光吸收层在空间上相重叠,减少了载流子在漂移及扩散运动过程中的损失,表助于载流子的可以高效产生及分离。这些特性二维/三维异质结构突破传统光电器件性能限制打下了物理基础。二维/三维异质结构其性能优化方法及效果也与传统PN结构大相径庭。以局域表面等离子体共振增强方法为例,由于表面等离子体共振产生的热点能量是近场分布,随距离增加迅速衰减,而传统PN结区位于器件表面以下数百纳米甚至数微米深度,表面等离子体共振难以对其增强。而二维/三维异质结构由于结构位于表面,其表面等离子体共振产生的增强电磁场与耗尽层及光吸收层在空间上相重叠,因此可大幅提高器件的性能。同时,可对二维/三维异质结构中的石墨烯及二维半导体进行诸如表面能带调节、化学掺杂及减反射层等增强手段。本论文围绕石墨烯及二维半导体的异质结构在光电器件领域的实际应用应用,综合研究了几种基于石墨烯及二维半导体的不同类型的光电器件,涉及石墨烯、二维六方氮化硼、二维二硫化钼,并介绍了通过界面能带调节、表面掺杂、局域表面等离子体共振增强等手段来提高器件性能的方法,探究了性能提升背后的物理机制,进一步提示了石墨烯及二维半导体的异质结构的物理内涵,具体内容有以下几部分:1)提出了石墨烯/六方氮化硼/氧化锌异质光电探测器,并研究六方氮化硼在异质结中起到的势垒提升作用。研究表明由于六方氮化硼的负电子亲和势和宽禁带宽度,可以提升石墨烯/氧化锌器件的电子势垒,提升器件在365nm紫外光响应度到1350 AW-1,同时将器件的开关比提升到103。2)利用湿法转移技术得到石墨烯/氮化镓发光二极管,正反向均可发光且波长不同,在界面处引入银纳米颗粒可提升其发光强度。通过对光谱进行拟合,我们认为银纳米颗粒的局域表面等离子体,可与氮化镓层中的激子复合发生能量耦合,提高辐射复合在载流子复合过程中的比例,从而提升二极管的发光强度。3)研究了金纳米颗粒增强的石墨烯/砷化镓太阳能电池,并获得了 16.2%的转换效率。通过在石墨烯/砷化镓太阳能电池表面旋涂一层化学合成的金纳米颗粒,可利用纳米颗粒的局域表面等离子体共振效应将入射光局域在石墨烯/砷化镓的表面耗尽层,从而加快光生载流子的分离,将太阳能电池的短路电流密度从19.1 mAcm-2提升至24.9 mA cm-2,结合掺杂和减反射手段,可将太阳能电池转换效率提升至16.2%。同时研究了金纳米颗粒的直径、分布密度对电池转换效率的影响。4)研究了金属纳米间隙结构对于二硫化钼的光致发光增强及光电探测增强。在合适的电磁激发下,金属纳米间隙中会产间隙模式等离激元,并伴有电磁场增强效应。此时将单层二硫化钼插入金属纳米间隙中,可得到110倍的光致发光增强。利用相同原理制备的光电探测器可获得882%的响应度提升,达到287.5 AW-1。
马淑芳[4]（2011）在《LED用多晶化合物的微结构调控及物性研究》文中研究指明半导体薄膜技术是实现电子器件和系统微型化的最有效手段,半导体薄膜已在各种微电子、光电子器件中广泛应用而成为国内外研究的热点。薄膜材料的微观结构受到制备工艺的影响,因此对材料的生长过程、形貌、聚集状态等宏观参数进行调控,通过研究这些宏观参数对材料本身的原子结构、带隙宽度等微观参数的影响,从而改进薄膜材料的物理性能,对材料科学的发展以及材料的实际应用具有重要的意义。本文选取红、蓝、紫外光LED目前使用的核心材料GaAs、GaN、ZnO半导体薄膜材料以及LED工艺相关材料为研究对象,采用CVD法（化学气相沉积）、水热法、碳热还原法、溶胶凝胶法制备出多种微观形貌的产物,利用FESEM、HRTEM、XRD、PL、XPS、EDS、SAED等手段进行表征,探索其制备工艺—微观结构—物理性质之间的关系,从而实现对材料的微观结构和性能的调控,满足光电子器件多样性的要求。主要得出以下规律：在砷化镓基片上合成GaAs/Ga2O3多晶薄膜,薄膜表面形貌为均匀波浪形；光致发光属于红光发射,强度较高；氧以深能级缺陷和氧化镓两种形式存在；并对薄膜的形成机理进行了研究。在不同的衬底上调控合成了一系列GaN多晶薄膜,通过优化生长参数来提高薄膜的晶体质量和发光性能。结果显示：第一,较高的反应温度、较低的氨气流量和使用催化剂均可以提高GaN多晶薄膜的晶体质量；第二,在生长薄膜之前先在基片上镀有金属Al缓冲层亦可以提高GaN多晶薄膜的质量；第三,薄膜的表面形貌不同,组成物有纳米棒、纳米带、纳米线、纳米片、纳米颗粒等,并研究了实验参数对其影响。不同反应温度下制备的三种ZnO晶体均为纤锌矿结构,三种晶体的生长规律均遵从负离子配位多面体生长基元理论。而同样实验条件,只改变源材料配比制备出了六方管状氧化锌晶体粉,其生长机理为纳米片连续卷曲而成,且光致发光性能优于原料。ZnO多晶纳米薄膜均为六方纤锌矿结构,退火温度和基片种类不同,薄膜的结晶度和光致发光强度、峰位出现较大差异：硅基片上的薄膜只有本征发射峰,而玻璃基片上除了本征发射峰外,还有可见光发射峰。花状分级结构纳米V8C7的形成受水热反应温度和有机原料的种类的影响；花状分级结构纳米碳化钒的形成机理为定向吸附。这种结构的纳米碳化钒能有效提高氨气的分解率,并有可能在GaN晶体的低温生长中起到重要作用。在石墨基片上生长出的碳／碳化硼复合物纳米绳薄膜,是由晶体碳化硼纳米线及其表而附着的非晶碳绳结组成,并研究了生长机理。这种产物有望应用于蓝光LED衬底的剪薄与抛光材料。
施仲坚[5]（1981）在《超声显微镜》文中研究说明 自从四个世纪以前发明光学显微镜,人们的视域扩大了,在认识自然和改造自然方面迈出了一大步。随着电子学的发展,在半个世纪以前又发明了电子显微镜,今日的电镜已可以观察到原子,成绩很大,但它也有一定的局限性,如对生物组织切片的观察同光
江婉珍[6]（2018）在《二维硫化钨和硫化铌的制备及电学性质研究》文中研究指明过渡金属硫族化合物是一种具有类石墨烯结构的层状材料。由于其独特的晶体结构,使其展现出了许多特殊的物理性质,目前已成为新型材料及先进制造的研究焦点。广泛的研究结果表明,二维过渡金属硫族化合物具有近乎理想的开关比、载流子迁移率,使其在场效应晶体管、光电探测器、气体传感器等方面有极大的应用前景。本论文着重于二维过渡金属硫族化合物的可控制备。重点研究了化学气相沉积法的工艺条件对制备单晶WS2的影响,探索了CVD法生长二维NbS2的工艺条件,分析了基于二维WS2的场效应晶体管制备和电学特性测试。本论文的主要研究结论如下:为了实现对WS2薄膜的可控制备,本课题分析了各工艺参数对WS2形状、大小的影响,确定了生长WS2的最佳工艺参数,即温度750℃、保温时间10min、Ar流量100sccm、WO3量30mg、硫粉量500mg,在这个基础上成功制备出了尺寸约50μm的正三角形薄膜。对制备出的WS2薄膜进行了成分与结构表征。XPS与EDS定量分析结果显示所制备的薄膜中W与S原子比接近1:2,证明所制备的薄膜为WS2。AFM结果显示薄膜厚度约0.8nm,证明薄膜为单层。TEM结果则显示薄膜具有标准的六方结构,且在单片三角膜上具有分布良好的单晶性。采用CVD法分别以NbO2和NbCl5为铌源制备出了枝晶薄膜及连续薄膜的NbS2。成分测试结果显示连续薄膜主要成分含有Nb、S,其中Nb与S的原子比为1:1.95。拉曼光谱结果显示连续薄膜含有3R-NbS2具备的四种振动模式,证明所制备的薄膜为3R结构的NbS2。使用电子束光刻法制备了单层硫化钨的背栅场效应晶体管,晶体管沟道宽约0.5μm,长约1μm。使用四探针法对电子束光刻法制备的微型器件进行了电学性能测试,结果显示晶体管开关比达到105,并显示出了双极性晶体管的特性。
吴燕燕[7]（2019）在《SiC和BN纳米材料及其铁磁性研究》文中指出稀磁半导体材料同时利用电子的电荷属性和自旋属性,具有优异的半导体和磁学性能,在未来自旋电子器件中有广泛的应用前景。因此,开发更多优异的具有室温或高温铁磁性的新型稀磁半导体材料,并研究其磁性起源成为当代磁学领域的重要研究内容之一。本论文以稀磁半导体材料在低维下表现出的高温铁磁机制为目的,以探索产生高温铁磁性的微观磁矩起源为关键展开研究。一方面,在零维SiC纳米颗粒和二维BN纳米片体系中分别发现了高温铁磁性,并对其结构、形貌、光学和磁特性进行了系统研究。另一方面,通过调控材料表面缺陷并结合第一性原理计算,揭示了稀磁半导体材料在低维尺度下具有稳定高温铁磁性的机理,为实现其在自旋电子学器件中的应用提供了理论依据和实验基础。论文的主要研究内容及所获得的主要研究结果如下:1.采用高能球磨法成功制备出纯相零维SiC纳米颗粒,并对其结构、形貌、光学和磁学特性进行了系统研究。室温铁磁性测试结果表明,高能球磨法实现了SiC材料从抗磁性向铁磁性的转变,其饱和磁化强度（MS）随球磨时间的增加从0.0006 emu/g增加至0.0032 emu/g。高温磁性测试表明,SiC纳米颗粒具有高温铁磁性,并且在800 K时,仍存在磁滞现象（Ms:0.0015 emu/g）。X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、电子自旋共振谱（ESR）和光致发光谱（PL）测试结果表明,SiC纳米颗粒表现出的高温铁磁性与材料表面缺陷相关。2.采用高能球磨法成功制备出二维BN纳米片。室温铁磁性测试表明,BN纳米片表现出明显的室温铁磁性,MS随球磨时间的增加从0.015 emu/g增加至0.032 emu/g。此外,通过高温磁性测试表明,BN纳米片的居里温度高于900 K。根据XPS、Raman、ESR图谱的分析结果,并结合第一性原理计算,表明BN纳米片的高温铁磁性与表面N缺陷相关。
奚光明[8]（2014）在《利用磁控溅射原位制备外延Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜的研究》文中提出YiBa2Cu307-δ（YBCO）作为目前最接近实用化的高温超导体材料,对其薄膜形式的研究一直是科研界的研究热点La0.5Ba0.5CoO3（LBCO）是最近被人们广泛关注的Co基钙钛矿结构的新兴功能材料。LBCO具有低温（100-150K）铁磁性和巨磁电阻效应,LBCO/YBCO薄膜有可能制成新型的铁磁/超导异质结器件。这为未来数据存储设备、医疗器械等的发展会提供更为广阔的前景。本文采用反应射频磁控溅射的方法,在MgO（100）基片上,原位外延生长了YBCO薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM）等表征技术,分析了溅射功率和气压以及LBCO缓冲层对YBCO薄膜生长的影响。本实验使用未经改造的（on-aixs）磁控溅射设备,在较低气压和较低磁控溅射入射功率条件下制备c轴外延单晶YBCO薄膜。具体研究结果如下：1.寻找到磁控溅射制备复杂氧化物薄膜的各可控条件的合适参数。如设备构型、溅射功率、氧氩比、工作气压、温度等。其中主要将溅射功率与工作气压作为主要研究对象。通过研究发现溅射功率与工作气压的匹配是影响YBCO薄膜外延生长的重要参数。高溅射功率/高工作气压和低溅射功率/低工作气压组合,均能在MgO基片上直接外延生长出c轴取向的YBCO薄膜,但外延的YBCO薄膜不是完全的Cube-on-Cube形式的单晶薄膜。同时,直接在MgO基片生长的YBCO薄膜具有比较粗糙的表面形貌。2.通过引入LBCO缓冲层,制备出c轴外延的YBCO薄膜单晶薄膜,同时改善了YBCO薄膜结晶质量。通过样品Φ扫描结果中只存在四次对称结果,说明只存在Cube-on-cube生长的一种晶粒。同时就证明引入LBCO缓冲层后所生长的YBCO薄膜是单晶薄膜。通过YBCO薄膜耦合扫描各峰均有不同程度增强（相同生长条件下增强7倍左右）、半峰宽变锐（由0.22°减小到0.160）以及摇摆曲线半峰宽变窄（由1.9°变为0.83°）等数据结果中证实了薄膜结晶质量有显着改善。3.通过引入LBCO缓冲层,制备的YBCO薄膜表面粗糙度大幅度降低。相同条件下薄膜表面面粗糙度RMS由10.5nm降低到1.98nnm左右,此薄膜可以认为是一种原子级光滑的单晶薄膜。从原子力图像中同样能观察到晶粒尺寸变小。面粗糙度变小的YBCO薄膜将更容易在器件制备中得到应用。
二、蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象（论文提纲范文）
（3）石墨烯及二维半导体异质光电器件研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 部分短语中英对照表 |
| 第一章:绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 石墨烯与二维半导体简介 |
| 1.2.1 石墨烯的基本结构、性质 |
| 1.2.2 二维六方氮化硼的基本结构、性质 |
| 1.2.3 二维二硫化钼的基本结构、性质 |
| 1.3 光电探测器的发展方向及石墨烯与二维半导体的应用潜力 |
| 1.4 传统发光二极管的瓶颈及石墨烯的应用潜力 |
| 1.5 传统太阳能电池的瓶颈及石墨烯的潜在解决方案 |
| 1.6 本章小结及博士课题的提出 |
| 第二章:器件制备及表征方法 |
| 2.1 石墨烯与二维半导体制备方法 |
| 2.1.1 微机械力剥离法 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 |
| 2.2 石墨烯与二维半导体的转移 |
| 2.2.1 金属衬底上石墨烯及二维半导体转移方法 |
| 2.2.2 氧化物衬底上石墨烯及二维半导体转移方法 |
| 2.3 金属纳米颗粒的合成 |
| 2.4 原子层沉积 |
| 2.5 测试手段及设备 |
| 2.5.1 扫描发射电子显微镜 |
| 2.5.2 原子力显微镜 |
| 2.5.3 透射电子显微镜 |
| 2.5.4 拉曼测试 |
| 2.5.5 光致发光谱测试 |
| 2.5.6 太阳能电池性能表征 |
| 2.5.7 其它测试手段及设备 |
| 2.6 数值计算方法 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章:石墨烯/六方氮化硼/氧化锌隧穿二极管紫外光电探测器 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 石墨烯/氧化锌光电探测器制备与不足 |
| 3.3 石墨烯/六方氮化硼/氧化锌光电探测器的制备与测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章:局域表面等离子体共振增强石墨烯/氮化镓发光二极管 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 局域表面等离子体共振简介 |
| 4.3 石墨烯/氮化镓发光二极管的制备 |
| 4.4 石墨烯/氮化镓发光二极管的测试与分析 |
| 4.5 银纳米颗粒对石墨烯/氮化镓发光二极管的增强及分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章:表面强光场耦合耗尽层石墨烯/砷化镓太阳能电池 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 石墨烯/砷化镓太阳能电池制备 |
| 5.3 金纳米颗粒对石墨烯/砷化镓太阳能电池的增强 |
| 5.4 金纳米颗粒增强石墨烯/砷化镓太阳能电池的原理分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章:金属纳米间隙结构增强的二硫化钼光电探测器 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 金属纳米间隙结构中电磁场热点位置的控制 |
| 6.3 用于光致发光增强的金属纳米间隙结构的设计与制备 |
| 6.4 金属纳米间隙结构对二硫化钼光致发光的增强 |
| 6.5 电磁场分布计算 |
| 6.6 金属纳米间隙增强二硫化钼光致发光的分析 |
| 6.7 用于光电探测增强的金属纳米间隙结构的设计与制备 |
| 6.8 金属纳米间隙增强二硫化钼光电探测的测试及分析 |
| 6.9 本章小结 |
| 第七章:总结与展望 |
| 7.1 论文主要成果 |
| 7.2 论文主要创新点 |
| 7.3 论文不足之处和未来工作展望 |
| 作者简历 |
| 主要成果 |
| 参考文献 |
（4）LED用多晶化合物的微结构调控及物性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 半导体化合物材料 |
| 1.1.1 氮化镓材料 |
| 1.1.2 砷化镓材料 |
| 1.1.3 氧化锌材料 |
| 1.2 半导体材料在光电器件中的应用 |
| 1.2.1 GaN材料在光电器件中的应用 |
| 1.2.2 GaAs材料在光电器件中的应用 |
| 1.2.3 ZnO材料在光电器件中的应用 |
| 1.3 LED器件及工艺材料简介 |
| 1.3.1 LED的发展史 |
| 1.3.2 LED器件工艺流程及材料 |
| 1.4 选题意义及研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 气相沉积法合成GaAs/Ga_2O_3复合多晶薄膜 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 薄膜的制备 |
| 2.2.2 薄膜的表征实验 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 物相表征 |
| 2.3.2 形貌表征 |
| 2.3.3 光学性能表征 |
| 2.3.4 薄膜的生长机理探讨 |
| 2.3.5 反应条件对薄膜的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 CVD法合成多晶氮化镓薄膜 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 薄膜的制备 |
| 3.2.3 薄膜的表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 物相表征 |
| 3.3.2 形貌和成分表征 |
| 3.3.3 光学性能表征 |
| 3.3.4 生长机理分析 |
| 3.3.5 同样催化条件下衬底对产物的影响 |
| 3.3.6 无催化条件下衬底对产物的影响 |
| 3.3.7 反应温度对GaN薄膜的影响 |
| 3.3.8 氨气流量对GaN薄膜的影响 |
| 3.3.9 缓冲层对GaN薄膜的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 碳热还原法合成氧化锌晶体材料 |
| 4.1 实验部分 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 物相表征 |
| 4.2.2 形貌表征 |
| 4.2.3 生长机理探讨 |
| 4.2.4 原料配比改变合成氧化锌六方纳米管的研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 溶胶-凝胶法制备ZnO多晶薄膜 |
| 5.1 实验部分 |
| 5.1.1 实验材料 |
| 5.1.2 实验过程 |
| 5.1.3 表征实验 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 不同基片上薄膜的物相分析 |
| 5.2.2 不同基片和温度生长薄膜的微观形貌分析 |
| 5.2.3 不同基片和温度下生长薄膜的光学性能分析 |
| 5.2.4 基片种类对ZnO薄膜的影响 |
| 5.2.5 退火温度对ZnO薄膜的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 碳化钒花状分级结构纳米材料 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 样品的制备 |
| 6.2.2 表征实验 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 物相和成分分析 |
| 6.3.2 形貌和微观结构分析 |
| 6.3.3 形成机理 |
| 6.3.4 催化分解氨气的效果初探 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 碳化硼复合纳米绳的研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验部分 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 物相分析 |
| 7.3.2 产物的形貌与微观结构 |
| 7.3.3 生长基底对碳/碳化硼的影响 |
| 7.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 结论 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 |
| 博士学位论文独创性说明 |
（6）二维硫化钨和硫化铌的制备及电学性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物 |
| 1.2.1 TMDCs的结构 |
| 1.2.2 TMDCs的电学性质 |
| 1.2.3 TMDCs的制备方法 |
| 1.3 场效应晶体管 |
| 1.3.1 基本结构及原理 |
| 1.3.2 性能参数 |
| 1.4 本论文主要研究内容 |
| 第2章 实验材料及表征技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 薄膜制备方法 |
| 2.2.1 实验设备 |
| 2.2.2 实验材料 |
| 2.2.3 CVD生长实验步骤 |
| 2.3 实验表征 |
| 2.3.1 光学显微镜 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱 |
| 2.3.3 拉曼光谱仪 |
| 2.3.4 原子力显微镜 |
| 2.3.5 透射电子显微镜 |
| 2.3.6 扫描电子显微镜 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 二维NbS_2的制备和表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 硫化铌的制备 |
| 3.2.1 枝晶状硫化铌的制备 |
| 3.2.2 二维膜状硫化铌的制备 |
| 3.3 薄膜的成分及结构分析 |
| 3.3.1 XPS分析 |
| 3.3.2 Raman分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 WS2薄膜的制备和表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 试验参数对WS2生长的影响 |
| 4.2.1 温度 |
| 4.2.2 保温时间 |
| 4.2.3 氩气流量 |
| 4.2.4 WO_3及NaCl用量 |
| 4.2.5 硫粉挥发量及开始加热的时间 |
| 4.3 WS2 薄膜成分及厚度分析 |
| 4.3.1 X射线光电子能谱(XPS) |
| 4.3.2 原子力显微镜(AFM) |
| 4.3.3 扫描电子显微镜 |
| 4.4 WS2 薄膜晶体结构分析 |
| 4.4.1 TEM分析 |
| 4.4.2 Raman分析 |
| 4.5 薄膜形状生长机理分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 场效应晶体管的制备及电学性能测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 场效应晶体管的制备 |
| 5.2.1 碳纤维掩膜法 |
| 5.2.2 电子束光刻法 |
| 5.3 电学性能测试结果 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（7）SiC和BN纳米材料及其铁磁性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 自旋电子学的发展 |
| 1.2 稀磁半导体材料 |
| 1.2.1 稀磁半导体 |
| 1.2.2 稀磁半导体材料的磁有序机制 |
| 1.3 d~0铁磁性 |
| 1.3.1 d~0铁磁性的产生 |
| 1.3.2 d~0铁磁性的研究现状 |
| 1.4 本论文的研究动机和课题选取 |
| 参考文献 |
| 第二章 结构分析与表征 |
| 2.1 X射线衍射 |
| 2.2 X射线光电子能谱 |
| 2.3 扫描电子显微镜 |
| 2.4 高分辨透射电子显微镜 |
| 2.5 振动样品磁强计 |
| 2.6 拉曼散射光谱 |
| 2.7 电感耦合高频率等离子体原子发射光谱 |
| 2.8 电子自旋共振 |
| 2.9 光致发光光谱 |
| 参考文献 |
| 第三章 SiC纳米颗粒的铁磁性及其机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 6H-SiC纳米粒子的制备 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 BN纳米片的铁磁性及其机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 BN纳米片的制备 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 结论和展望 |
| 5.1 本论文的主要结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 攻读硕士期间已发表和完成的论文 |
| 致谢 |
（8）利用磁控溅射原位制备外延Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 1 YBCO和LBCO的概述 |
| 1.1 YBCO的结构 |
| 1.2 YBCO薄膜应用 |
| 1.2.1 带材 |
| 1.2.2 半导体器件 |
| 1.2.3 微波器件 |
| 1.3 LBCO的概述 |
| 2 YBCO薄膜的制备技术 |
| 2.1 三步法与两步法 |
| 2.2 磁控溅射法 |
| 2.2.1 磁控溅射腔体结构设备 |
| 2.2.2 磁控溅射制备YBCO薄膜工作气压 |
| 2.3 其他方法 |
| 3 YBCO薄膜制备及表征方法 |
| 3.1 靶材制备 |
| 3.2 基片参数 |
| 3.3 YBCO薄膜的制备方法 |
| 3.3.1 射频磁控溅射的基本原理 |
| 3.3.2 实验设备 |
| 3.4 YBCO薄膜的分析 |
| 3.4.1 X射线衍射仪 |
| 3.4.2 原子力显微镜 |
| 4 溅射功率与气压对YBCO薄膜生长的影响 |
| 4.1 YBCO薄膜样品制备 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 溅射功率与气压对YBCO薄膜结构的影响 |
| 4.2.2 溅射功率与气压对YBCO薄膜形貌的影响 |
| 4.2.3 其他因素影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 引入LBCO缓冲层对YBCO薄膜生长的影响 |
| 5.1 YBCO薄膜样品制备 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 引入LBCO缓冲层对YBCO薄膜结构的影响 |
| 5.2.2 引入LBCO缓冲层对YBCO薄膜形貌的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
四、蓝宝石—硅(SOS)界面的高分辨电子显微象（论文参考文献）
- [1]蓝宝石—硅（SOS）界面的高分辨电子显微象[J]. 褚一鸣,昝育德,杨大宇,刘维. 电子显微学报, 1984(04)
- [2]蓝宝石—硅（SOS）界面的高分辨电子显微象[A]. 褚一鸣,昝育德,杨大宇,刘维. 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）, 1983
- [3]石墨烯及二维半导体异质光电器件研究[D]. 吴志乾. 浙江大学, 2019(01)
- [4]LED用多晶化合物的微结构调控及物性研究[D]. 马淑芳. 太原理工大学, 2011(08)
- [5]超声显微镜[J]. 施仲坚. 自然杂志, 1981(07)
- [6]二维硫化钨和硫化铌的制备及电学性质研究[D]. 江婉珍. 西北工业大学, 2018(06)
- [7]SiC和BN纳米材料及其铁磁性研究[D]. 吴燕燕. 西北师范大学, 2019(06)
- [8]利用磁控溅射原位制备外延Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜的研究[D]. 奚光明. 大连理工大学, 2014(07)