一、磁泡技术发展及动向（论文文献综述）
王成杰[1]（2021）在《基于金刚石氮-空位色心观测磁体中的演生粒子》文中研究说明研究粒子的性质是探索自然世界的一项基础内容,也是物理学研究的核心领域。除实物粒子外,凝聚态物理中演生粒子也在固体中的各种性质和现象中扮演着重要角色。磁性材料中即存在着多种自旋相关的演生粒子。在磁体中发现的拓扑非平庸的磁斯格明子,表现出拓扑相关的效应且具有开发磁性电子学器件的潜力。磁体中的元激发磁振子,由于丰富的物理现象和磁振子学的应用前景受到持续的关注。近些年,基于量子体系开发的测量技术逐渐发展起来,实现了经典手段难以达到的探测精度。其中,金刚石氮-空位（Nitrogen-Vacancy,NV）色心作为单自旋磁力计,在室温大气下具有高灵敏度高空间分辨率的优点。尤其,与扫描成像显微镜结合的NV色心磁场成像技术在凝聚态物理研究中表现出了独特的优势,已经成为研究纳米磁学的有力手段。此外,NV色心能够测量GHz频率的电磁波,从而实现对磁振子多种性质的测量。NV色心传感器与磁体中这些演生粒子的特点高度契合,适合用于对其进行观测和研究。本文中将介绍基于金刚石NV色心的测量技术,并将其应用于磁斯格明子结构的研究,以及自旋波频谱和磁振子温度的测量。磁斯格明子的磁化矢量在纳米尺度内存在方向翻转,会产生变化剧烈的杂散场。针对目前NV色心磁成像技术测量大梯度磁场的困难,本文提出了一种追踪扫描方法和配套的磁场重构算法。仿真和实验结果证明了该扫描方法能够快速实现对大梯度磁场的成像。解析磁化结构是磁斯格明子研究中的重要内容。结合微磁学和NV色心磁成像技术可以分析磁斯格明子的结构。本文对于磁化结构目前存疑的双斯格明子进行了研究。微磁仿真表明Lorentz透射电镜观察到的双斯格明子能够用倾斜磁各向异性的磁体中的二型磁泡解释。NV色心磁成像在薄片和块材磁体中也观察到了磁泡的特征。NV色心能够以多种方式实现对自旋波和磁振子的测量。针对不同的测量需求,NV色心可以使用不同的方法进行测量。在测量斯格明子自旋波频谱的实验中,本文利用非共振方法测量到了磁体在微波驱动下的响应。另一方面,NV色心通过弛豫测量能够得到热涨落磁振子的统计信息。通过测量弛豫率,本文在实验中实现了 NV色心测量磁振子的温度。存在温度梯度的磁体中磁振子与声子可能存在温度差,NV色心有望对该现象进行探测。
刘建成[2]（2021）在《圆柱与圆盘核-壳结构中自旋结构的微磁学研究》文中研究指明近年来,随着纳米复合材料的不断发展,核-壳结构复合材料因其丰富的物理性质引起了人们的广泛关注。核-壳结构材料内部会形成多种拓扑自旋结构,这些拓扑自旋结构可以作为新一代纳米磁存储器件中的信息载体。本论文通过微磁学模拟方法计算了在核-壳复合材料中自旋结构的成核情况,具体研究如下:1.模拟了软/硬磁核-壳结构圆柱纳米线的退磁过程。我们计算了不同形貌和材料参数对应的磁滞回线,以及自旋结构的成核过程。发现软、硬磁相厚度对磁化反转机制有着一定影响,得出了三种磁化反转机制,对应矫顽力点附近的自旋结构分别为径向涡旋态、类一致转动态、涡旋态。另外,纳米线长径比、磁晶各向异性易轴偏角以及界面耦合强度对退磁过程也有影响,不仅会影响磁性能,还会影响自旋结构的型态。2.模拟了存在磁晶各向异性缺陷的核-壳结构纳米盘的退磁过程。我们对应磁滞回线分析了不同外场下自旋结构的变化情况,发现缺陷区域磁晶各向异性常数和缺陷半径都会影响自旋结构的成核机制与磁化反转机制。得出了三种磁化反转机制,对应矫顽力点附近的自旋结构分别为铁磁态、磁泡、平行/反平行磁涡旋。我们还模拟了存在Dzyaloshinsky-Moriya相互作用（DMI）的核-壳结构纳米盘中自旋结构的成核情况。发现在无外界因素刺激时,核-壳结构中可以自发形成斯格明子或者多π态斯格明子,并且所需要的DMI常数值更小。本文对核-壳结构复合材料的研究有助于理解磁化反转机制,也为探索新型拓扑自旋结构提供了理论指导。
胡云志[3]（2009）在《石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为》文中进行了进一步梳理磁畴和磁畴壁物理的研究,一直是磁学领域的重要内容。而石榴石磁泡薄膜中硬磁畴行为的研究,无论是对超高密度布洛赫线存储器的研制,还是对磁畴壁物理的发展都具有非常重要的意义。面内场和温度都是影响硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（vertical Bloch line,简写为VBL）特性的重要因素。本文详细的实验研究了硬磁畴的行为与硬化脉冲偏场、面内场和温度的关系。得到的主要结果如下:1.实验研究了液相外延石榴石磁泡薄膜中哑铃畴的动态特性与硬化脉冲偏场的关系。发现用系列脉冲法产生的哑铃畴,其旋转方向与硬化脉冲宽度（τp）h有关。在窄硬化脉冲宽度（τp）h下形成的哑铃畴全部逆时针旋转;随着（τp）h的增加,开始出现顺时针旋转的哑铃畴,即所谓的混合区域;进一步增加（τp）h,哑铃畴全部顺时针旋转。而硬化脉冲幅度（Hp）h和硬化脉冲次数（np）h对哑铃畴的旋转方向没有影响。用低直流偏场法产生的哑铃畴,其旋转方向则与直流偏场Hb有关。在零偏场下,由枝状畴收缩成的哑铃畴全部逆时针旋转;随着Hb的增加,出现顺时针旋转的哑铃畴,即混合区域;当Hb进一步增加时,哑铃畴全部顺时针旋转。其旋转方向与硬化脉冲宽度（τp）h、硬化脉冲幅度（Hp）h和硬化脉冲次数（np）h无关。对比固定直流偏场下的系列脉冲偏场法和低直流偏场法形成的硬磁畴的转动行为,认为脉冲偏场的下降沿起主要作用时,对应负VBL的形成;上升沿起主要作用时,对应正VBL的形成。2.实验研究了经面内场作用后的哑铃畴的动态特性,发现面内场对哑铃畴的初始状态没有影响,即VBL部分消失后,硬磁畴仍保持其原来的转动方向。由此证明了面内场不影响VBL的符号,并进一步支持了VBL成对消失的观点。3.实验研究了面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴（普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴）的影响,发现三类硬磁畴存在一个相同的临界面内场范围[Hip1,Hip2]。纠正了(Hip1)ⅡD<(Hip1)ⅠD<(Hip1)OHB的结论,并对此给出了解释。4.实验研究了直流偏场整形和温度交替作用对三类硬磁畴畴壁中VBL链的影响。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使VBL链解体的临界温度范围[T1,T2]。这里T1是畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度,T2是畴壁中VBL链完全解体的最小临界温度。对于三类硬磁畴而言,T1是相同的,亦即畴壁中VBL链开始不稳定的最小临界温度与畴壁中VBL的数目无关;而T2则随VBL的数目增加而变大。进一步证明了温度作用下,硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的。证明了VBL的消失与硬磁畴的硬度无关,否定了Haisma等人的“较硬的硬磁泡比较容易损失VBL”的结论。
胡云志,孙会元[4]（2008）在《脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成》文中研究说明实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用.
左邻[5]（1989）在《稀土功能材料的发展现状与展望》文中指出 随着新技术的发展,Sc、Y 和15种镧系元素（La～Lu）作为构成新技术核心的功能材料,颇受关注。这类稀土金属和化合物尚属开发中的材料,因此有许多奥秘有待探索和未知的魅力有待开发。可以预料,以
苏佳铭[6]（1988）在《数据库系统的发展远景（Ⅰ）》文中研究说明本文着重地阐述了有关数据库系统今后的两个发展动向。此外,并介绍了大容量存储硬件、用户接口、分布式数据库系统的布局、用途及发展情况。最后,还叙述了,由于发展了共用数据型,使模式能在网络式系统与关系式系统之间互相转换、逻辑水平也获得很大的进展。因此,通用数据库系统的今后发展具有极为光明的前景。
董融[7]（1988）在《功能晶体及其应用》文中研究指明 一、前言最初生产的陶瓷材料主要是多晶和多相材料,在化学组成上也以氧化物为主。但是,随着具有优良性能的新型功能材料的出现和发展,如今已逐渐将陶瓷、单晶材料概念扩大到整个无机非金属材料,在化学组成上,也不再局限于氧化物,还有氮化物、碳化物、硼化物、硅化物和砷化物等;在物质状态上除了烧结体外,还有多晶、单晶体、薄膜和纤维（晶须）等。就结晶状态而论,广义的称为凝聚态,它们的结构基元(原子、离子、分子或络合离子
刘泽普,方光旦[8]（1986）在《磁盘技术的发展动向及其前景估计》文中研究指明本文介绍了磁盘技术目前的发展动向。同时,粗略地回顾了与磁盘技术竞争的某些技术特别是光盘技术的发展情况。希望本文有助于对磁盘技术的前景作出正确的估计。
张熙,陈国华[9]（1985）在《磁性材料在信息存贮技术中的应用》文中进行了进一步梳理 现在人类又面临着新技术革命浪潮的冲击,它以高质量和高速度收集、处理、存贮和传递各种信息,使社会走向信息化,所以人们称这次新的技术革命为信息革命。国外科学家们预测;在80年代,信息系统将是社会活动所有领域的中枢工具……而且还推
郝玉泉,陶友松,伍克军[10]（1985）在《特种器件与微细加工》文中研究指明 微细加工技术是一种新学科、新技术,它涉及的学科门类较多,综合性较强,它是电子技术向明天发展的关键基础技术,没有微细加工技术,就没有大规模或超大规模集成电路,就没有可能制造具有各种系统功能和特殊性能的各种电子器件。因此,没有微细加工技术就不会有四个现代化。
二、磁泡技术发展及动向（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、磁泡技术发展及动向（论文提纲范文）
（1）基于金刚石氮-空位色心观测磁体中的演生粒子（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 磁体中的演生粒子 |
| 1.1.1 磁斯格明子 |
| 1.1.2 磁振子 |
| 1.1.3 微磁学简介 |
| 1.2 量子精密测量 |
| 1.2.1 量子测量简介 |
| 1.2.2 基于金刚石氮-空位色心的量子测量 |
| 1.2.3 基于NV色心的磁性物理研究 |
| 1.3 论文结构 |
| 第2章 基于NV色心的量子测量 |
| 2.1 NV色心简介 |
| 2.1.1 NV色心的能级结构 |
| 2.1.2 NV色心的量子态控制 |
| 2.2 NV色心磁场测量方法 |
| 2.2.1 静磁场测量 |
| 2.2.2 交变磁场测量 |
| 2.2.3 弛豫测量 |
| 2.3 NV色心扫描成像 |
| 2.3.1 扫描探针显微镜 |
| 2.3.2 NV色心扫描成像技术 |
| 2.3.3 扫描成像数据分析 |
| 第3章 径向基算法增强磁场成像 |
| 3.1 背景 |
| 3.2 扫描方法与重构算法 |
| 3.2.1 追踪扫描方法 |
| 3.2.2 径向基重构算法 |
| 3.3 仿真测试 |
| 3.4 实验结果 |
| 3.5 性能分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 双斯格明子的磁化结构 |
| 4.1 背景 |
| 4.2 微磁学模型 |
| 4.2.1 垂直的磁各向异性 |
| 4.2.2 倾斜的磁各向异性 |
| 4.3 磁场成像实验结果 |
| 4.3.1 条纹畴 |
| 4.3.2 薄膜中的磁泡 |
| 4.3.3 块材中的磁泡 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 自旋波与磁振子测量 |
| 5.1 斯格明子的共振自旋波 |
| 5.1.1 斯格明子的自旋波模式 |
| 5.1.2 驱动自旋波的测量 |
| 5.1.3 实验结果 |
| 5.1.4 总结 |
| 5.2 磁振子温度测量 |
| 5.2.1 自旋Seebeck效应 |
| 5.2.2 NV色心对磁振子温度的测量 |
| 5.2.3 总结与讨论 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（2）圆柱与圆盘核-壳结构中自旋结构的微磁学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 磁性材料 |
| 1.1.1 硬磁材料 |
| 1.1.2 软磁材料 |
| 1.1.3 信磁材料 |
| 1.2 纳米复合永磁材料的发展 |
| 1.3 自旋结构 |
| 1.3.1 斯格明子 |
| 1.3.2 磁泡与磁涡旋 |
| 1.4 本论文的内容和意义 |
| 2 微磁学基本理论与方法 |
| 2.1 微磁学原理 |
| 2.1.1 静态微磁学原理 |
| 2.1.2 动态微磁学原理 |
| 2.2 矫顽力机制 |
| 2.2.1 S-W模型 |
| 2.2.2 磁畴壁移动模型 |
| 2.3 微磁学软件 |
| 2.3.1 OOMMF |
| 2.3.2 Mumax |
| 2.3.3 其他微磁学软件 |
| 3 核-壳结构圆柱纳米线中的自旋结构 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 计算模型与方法 |
| 3.3 模拟结果 |
| 3.3.1 软/硬磁相厚度的影响 |
| 3.3.2 纳米线长径比的影响 |
| 3.3.3 磁晶各向异性易磁化轴偏角的影响 |
| 3.3.4 软/硬磁界面交换耦合强度的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 核-壳结构纳米盘中的自旋结构 |
| 4.1 存在磁晶各向异性缺陷的纳米盘中的自旋结构 |
| 4.1.1 计算模型 |
| 4.1.2 磁晶各向异性常数值的影响 |
| 4.1.3 缺陷区域半径的影响 |
| 4.1.4 小结 |
| 4.2 存在DMI的核-壳结构纳米盘中的自旋结构 |
| 4.2.1 计算模型 |
| 4.2.2 DMI常数值的影响 |
| 4.2.3 核心区域半径的影响 |
| 4.2.4 注入自旋极化电流时,DMI常数值的影响 |
| 4.2.5 小结 |
| 5 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在校期间的研究成果 |
（3）石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 薄膜概述 |
| 1.2 磁泡薄膜概述 |
| 1.3 存储器 |
| 1.3.1 磁泡存储器 |
| 1.3.2 布洛赫线存储器 |
| 1.4 选题背景和研究内容 |
| 第2章 样品的性质及其制备方法 |
| 2.1 磁泡材料概述 |
| 2.1.1 磁泡材料的必要条件 |
| 2.1.2 磁泡材料的发展概况 |
| 2.2 石榴石磁泡材料的性质 |
| 2.2.1 石榴石磁泡材料的晶体性质 |
| 2.2.2 石榴石磁泡材料的磁学性质 |
| 2.3 石榴石磁泡样品的制备 |
| 第3章 基本理论 |
| 3.1 磁畴和磁泡 |
| 3.2 磁泡的形成和磁泡的静态理论 |
| 3.2.1 磁泡的形成条件 |
| 3.2.2 磁泡的静态特性 |
| 3.3 磁畴壁和布洛赫线 |
| 3.3.1 畴壁结构 |
| 3.3.2 布洛赫线 |
| 3.3.3 布洛赫线间的相互作用 |
| 3.3.4 布洛赫点 |
| 3.4 磁泡的动态理论 |
| 3.4.1 畴壁运动基础方程式 |
| 3.4.2 含垂直布洛赫线的平面畴壁的运动 |
| 3.4.3 磁泡的运动 |
| 第4章 实验准备 |
| 4.1 实验装置 |
| 4.2 硬磁畴的产生方法 |
| 4.2.1 脉冲偏场法 |
| 4.2.2 低直流偏场法 |
| 4.3 畴形及其分类 |
| 4.3.1 系列脉冲法产生的畴形 |
| 4.3.2 低直流偏场法产生的畴形 |
| 4.4 参数测量 |
| 4.4.1 脉冲小线圈校准 |
| 4.4.2 参数测量方法 |
| 4.4.3 本文所研究样品的参数 |
| 第5章 哑铃畴的动态特性的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 系列脉冲偏场法形成的哑铃畴的动态规律 |
| 5.2.1 实验步骤 |
| 5.2.2 实验结果和讨论 |
| 5.3 零偏场时产生的枝状畴的动态特性的研究 |
| 5.3.1 实验步骤 |
| 5.3.2 实验结果和讨论 |
| 5.4 低直流偏场法形成正、负VBL的规律 |
| 5.4.1 实验步骤 |
| 5.4.2 实验结果和讨论 |
| 5.5 经面内场作用后的哑铃畴的动态特性 |
| 5.5.1 实验步骤 |
| 5.5.2 实验结果和讨论 |
| 5.6 小结 |
| 第6章 面内场对三类硬磁畴的影响 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验步骤 |
| 6.3 实验结果和讨论 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的热稳定性 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验步骤 |
| 7.3 实验结果和讨论 |
| 7.4 小结 |
| 第8章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 |
（4）脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成（论文提纲范文）
| 1.引言 |
| 2.实验方法 |
| 2.1.固定直流偏场法产生的哑铃畴转动状态 |
| 2.2.低直流偏场法产生的哑铃畴转动状态 |
| 3.实验结果及讨论 |
| 4.结论 |
四、磁泡技术发展及动向（论文参考文献）
- [1]基于金刚石氮-空位色心观测磁体中的演生粒子[D]. 王成杰. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [2]圆柱与圆盘核-壳结构中自旋结构的微磁学研究[D]. 刘建成. 四川师范大学, 2021(12)
- [3]石榴石磁泡薄膜中硬磁畴的行为[D]. 胡云志. 河北师范大学, 2009(11)
- [4]脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成[J]. 胡云志,孙会元. 物理学报, 2008(08)
- [5]稀土功能材料的发展现状与展望[J]. 左邻. 材料导报, 1989(04)
- [6]数据库系统的发展远景（Ⅰ）[J]. 苏佳铭. 无线电工程, 1988(04)
- [7]功能晶体及其应用[J]. 董融. 仪表材料, 1988(03)
- [8]磁盘技术的发展动向及其前景估计[J]. 刘泽普,方光旦. 计算机研究与发展, 1986(10)
- [9]磁性材料在信息存贮技术中的应用[J]. 张熙,陈国华. 材料科学与工程, 1985(01)
- [10]特种器件与微细加工[J]. 郝玉泉,陶友松,伍克军. 微细加工技术, 1985(01)